特許

J-GLOBAL ID：201503000949512545

多重量子井戸型太陽電池及び多重量子井戸型太陽電池の製造方法

発明者： 板垣 奈穂 ,  白谷 正治 ,  内田 儀一郎
出願人/特許権者： 独立行政法人科学技術振興機構
代理人 (2件)： 重信 和男 ,  小椋 正幸
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013055973
公開番号（公開出願番号）：WO2013-133264
出願日： 2013年03月05日
公開日（公表日）： 2013年09月12日
要約：

多重量子井戸型太陽電池における光吸収によって生成したキャリアの再結合を抑制し、高い光電変換効率を有する多重量子井戸型太陽電池を、低コストで提供する。 基板、p型半導体層、障壁層、井戸層、n型半導体層及び電極を有する多重量子井戸型太陽電池において、前記障壁層及び井戸層がウルツ鉱型の原子配置を有する結晶からなり、且つ前記井戸層がIn、Ga、Alから選択される少なくとも1つの元素及びZn元素を含む金属酸窒化物から構成され、前記井戸層においてピエゾ電界が発生していることを特長とする多重量子井戸型太陽電池により、光吸収によって生成したキャリアの再結合を抑制し、高い光電変換効率を有する多重量子井戸型太陽電池を、低コストで提供することができる。

請求項（抜粋）：

基板、p型半導体層、障壁層、井戸層、n型半導体層及び電極を有する多重量子井戸型太陽電池において、 前記障壁層及び井戸層がウルツ鉱型の原子配置を有する結晶からなり、且つ前記井戸層がIn、Ga、Alから選択される少なくとも1つの元素及びZn元素を含む金属酸窒化物から構成され、 前記井戸層においてピエゾ電界が発生していることを特徴とする多重量子井戸型太陽電池。

IPC (4件)：

H01L 31/06 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/363

FI (4件)：

H01L31/04 E ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/363

Fターム (32件)：

5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD15 ,  5F045CA13 ,  5F045DA55 ,  5F103AA08 ,  5F103DD30 ,  5F103LL04 ,  5F103LL17 ,  5F103NN06 ,  5F151AA07 ,  5F151DA04 ,  5F151DA13 ,  5F151FA02 ,  5F151FA06 ,  5F151GA04 ,  5F152LL05 ,  5F152LL08 ,  5F152LL09 ,  5F152LL10 ,  5F152LN12 ,  5F152LN22 ,  5F152NN03 ,  5F152NN05 ,  5F152NN09 ,  5F152NN13 ,  5F152NP17 ,  5F152NQ02 ,  5F152NQ03