特許
J-GLOBAL ID:201503001603575768

積層体、積層体の製造方法、素子用基板の製造方法、素子用基板、素子の製造方法及び素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 龍華国際特許業務法人
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2015-523038
公開番号(公開出願番号):特表2015-530283
出願日: 2014年04月08日
公開日(公表日): 2015年10月15日
要約:
本発明は、積層体及びこれを用いて製造された素子に関するもので、前記積層体は、キャリア基板と第二ポリイミド系樹脂層の間に第一ポリイミド系樹脂層を含み、前記第一ポリイミド系樹脂層の100〜200°C温度区間での熱膨張係数(CTE)は前記第二ポリイミド系樹脂層の同一温度区間での熱膨張係数(CTE)と同一または低く、前記第一ポリイミド系樹脂層の化学的変化を引き起こさない物理的刺激によって、前記第一ポリイミド系樹脂層の第二ポリイミド系樹脂層に対する接着力が減少する事によって、レーザ照射または光照射の工程等を行わなくても、前記キャリア基板から第二ポリイミド系樹脂層を容易に分離してフレキシブルディスプレイ素子等のポリイミド系樹脂層を有する素子の製造が容易であり、また、レーザまたは光照射等による素子の信頼性低下或いは不良発生もまた抑制できるため、より改善し信頼性の高い素子特性を有する素子を製造することができる。
請求項(抜粋):
キャリア基板と、 前記キャリア基板の一面または両面に位置する、第一ポリイミド系樹脂層と、 前記第一ポリイミド系樹脂層上に位置する、第二ポリイミド系樹脂層を含み、 前記第一ポリイミド系樹脂層の100〜200°C温度区間での熱膨張係数(CTE)は前記第二ポリイミド系樹脂層の同一温度区間での熱膨張係数(CTE)と同一または低く、前記第一ポリイミド系樹脂層の化学的変化を引き起こさない物理的刺激によって、前記第二ポリイミド系樹脂層に対する第一ポリイミド系樹脂層の接着力が減少する積層体。
IPC (7件):
B32B 27/34 ,  B32B 7/04 ,  C08G 73/10 ,  H05B 33/02 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/10 ,  H05K 1/03
FI (8件):
B32B27/34 ,  B32B7/04 ,  C08G73/10 ,  H05B33/02 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/10 ,  H05K1/03 610N ,  H05K1/03 670Z
Fターム (66件):
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107BB02 ,  3K107CC45 ,  3K107DD16 ,  3K107DD17 ,  3K107FF00 ,  3K107FF02 ,  3K107FF05 ,  3K107FF14 ,  3K107FF15 ,  3K107FF17 ,  3K107GG06 ,  3K107GG26 ,  3K107GG28 ,  4F100AG00 ,  4F100AK49B ,  4F100AK49C ,  4F100AK49D ,  4F100AK49E ,  4F100AT00A ,  4F100BA03 ,  4F100BA05 ,  4F100EH46B ,  4F100EH46C ,  4F100EH46D ,  4F100EH46E ,  4F100GB41 ,  4F100JA02B ,  4F100JA02C ,  4F100JA02D ,  4F100JA02E ,  4F100JA05B ,  4F100JA05C ,  4F100JA05D ,  4F100JA05E ,  4F100JB12B ,  4F100JB12C ,  4F100JB12D ,  4F100JB12E ,  4F100JK06B ,  4F100JK06C ,  4J043QB26 ,  4J043QB32 ,  4J043RA34 ,  4J043SA06 ,  4J043SA47 ,  4J043SB01 ,  4J043TA14 ,  4J043TA22 ,  4J043TA71 ,  4J043TB01 ,  4J043UA122 ,  4J043UA131 ,  4J043UA132 ,  4J043VA021 ,  4J043VA022 ,  4J043VA041 ,  4J043VA062 ,  4J043WA07 ,  4J043XA16 ,  4J043YA06 ,  4J043ZA02 ,  4J043ZB11 ,  4J043ZB21 ,  4J043ZB47
引用特許:
審査官引用 (5件)
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