特許
J-GLOBAL ID：201503001738685210
滞留時間が非常に短いレーザアニールシステムおよび方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
北原 宏修
, 多田 裕司
, 山内 聡
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-118693
公開番号（公開出願番号）：特開2014-013890
特許番号：特許第5739477号
出願日： 2013年06月05日
公開日（公表日）： 2014年01月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ウエハ表面を有する半導体ウエハのアニールのための高速レーザアニールシステムであって、
第1の波長で前記ウエハ表面に第1のイメージを形成し、当該第1のイメージが第2の波長の光の吸収の量を増加させる、第1のレーザシステムと、
第2の波長で前記ウエハ表面に第2のイメージを形成し、当該第2のイメージは少なくとも一部が前記第1のイメージ内に位置する、第2のレーザシステムと、
前記第2のイメージの位置における、ウエハの表面からの熱放射を検知し、電気的な熱放射信号を生成するように制御可能に配置された熱放射検知システムと、
前記第2のイメージの位置における、第2のレーザビームのウエハ表面で反射した反射光を集め、電気的な反射光信号を生成するように制御可能に配置された集光システムと、
前記第2のレーザビームのエネルギーを測定し、前記第2のレーザビームの電気的なエネルギー信号を生成するエネルギーセンサと、
前記熱放射検知システムと、前記集光システムと、前記エネルギーセンサと、前記第2のレーザシステムとに制御可能に接続されるコントローラと
を備え、
前記第2のレーザシステムは、1μsから100μsの間の滞留時間で前記ウエハ表面の前記第2のイメージを走査し、前記ウエハ表面を350°Cから1250°Cの間のピークアニール温度TAPに到達させる、走査光学システムを含み、
前記コントローラは、前記電気的な熱放射信号と前記電気的なエネルギー信号と前記電気的な反射光信号とを受信して処理し、前記第2のイメージの位置におけるウエハ表面の温度TSを決定するように構成され、
前記熱放射検知システムと前記走査光学システムとが、光学経路において重複する部分を有する、高速レーザアニールシステム。
IPC (2件)：
H01L 21/265 ( 200 6.01)
, H01L 21/268 ( 200 6.01)
H01L 21/265 602 C
, H01L 21/268 J
, H01L 21/268 T
