特許
J-GLOBAL ID：200903080836344234

半導体装置の作製方法及びレーザ照射装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
中村 理

中村 理 について

, 
小路 博信

小路 博信 について

, 
田中 幸一郎

田中 幸一郎 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-325383
公開番号（公開出願番号）：特開2004-158795
出願日： 2002年11月08日
公開日（公表日）： 2004年06月03日
要約：
【課題】半導体膜の表面の状態や結晶性にむらが生じるのを抑え、半導体膜の結晶化を均一に行なうことができるレーザ照射装置の提供を課題とする。本発明はさらに、該レーザ照射装置を用い、TFTのオン電流、移動度、閾値のばらつきを抑えることができる半導体装置の作製方法と、該作製方法を用いて作製された半導体装置の提供を課題とする。【解決手段】絶縁表面上に形成された半導体膜に、イオンドーピング法を用いて希ガスを添加し、希ガスの雰囲気下において、希ガスが添加された半導体膜に第1及び第2のレーザ光を照射する半導体装置の作製方法であって、第1のレーザ光は高調波を有しており、第2のレーザ光は基本波を有しており、第1及び第2のレーザ光の照射の際に、希ガスが添加された半導体膜に磁場を印加することを特徴とする半導体装置の作製方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
絶縁表面上に形成された半導体膜に、イオンドーピング法を用いて希ガスを添加し、 希ガスの雰囲気下において、前記希ガスが添加された半導体膜に第1及び第2のレーザ光を照射する半導体装置の作製方法であって、 前記第1のレーザ光は高調波を有しており、 前記第2のレーザ光は基本波を有しており、 前記第1及び第2のレーザ光の照射の際に、前記希ガスが添加された半導体膜に磁場を印加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (7件)：
H01L21/20 ,  B01J19/08 ,  B01J19/12 ,  H01L21/265 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786
FI (8件)：
H01L21/20 ,  B01J19/08 D ,  B01J19/12 G ,  H01L21/268 F ,  H01L21/268 J ,  H01L29/78 627G ,  H01L21/265 P ,  H01L21/265 Q
Fターム (101件)：
4G075AA30 ,  4G075BC03 ,  4G075CA36 ,  4G075CA42 ,  4G075CA63 ,  4G075DA02 ,  4G075DA18 ,  4G075EB01 ,  4G075EB32 ,  4G075EB33 ,  4G075EB34 ,  4G075EC30 ,  5F052AA02 ,  5F052AA17 ,  5F052AA18 ,  5F052BA04 ,  5F052BA07 ,  5F052BA11 ,  5F052BA14 ,  5F052BA15 ,  5F052BB01 ,  5F052BB04 ,  5F052BB05 ,  5F052BB06 ,  5F052BB07 ,  5F052CA02 ,  5F052CA04 ,  5F052CA07 ,  5F052CA08 ,  5F052CA10 ,  5F052DA01 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052EA12 ,  5F052EA15 ,  5F052EA16 ,  5F052FA06 ,  5F052FA19 ,  5F052HA06 ,  5F052JA01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA08 ,  5F110AA18 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE22 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG51 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP07 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP38 ,  5F110PP40 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ28
引用特許：
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (8件)
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