特許
J-GLOBAL ID：201503001781146498

半導体装置

発明者：
中川 未浩

中川 未浩 について


出願人/特許権者：
トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-268637
公開番号（公開出願番号）：特開2015-126056
出願日： 2013年12月26日
公開日（公表日）： 2015年07月06日
要約：
【課題】半導体素子の周囲の接続部分に高温の熱が伝わることを抑制することができる技術を提供する。【解決手段】半導体装置1は、キャリアが縦方向に流れる半導体素子が形成された半導体基板10を備える。半導体基板10は、厚板領域2と、厚板領域2に隣接し、厚板領域2よりも縦方向の厚みが薄い薄板領域3と、を備える。厚板領域2の上面21と薄板領域3の上面31との間に段差が形成されており、薄板領域3の上面31より上方の半導体基板10に半導体素子が形成されている。厚板領域2の上面21に第1端子11が接続されており、薄板領域3の上面31に第2端子12が接続されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
キャリアが縦方向に流れる半導体素子が形成された半導体基板を備え、 前記半導体基板は、厚板領域と、前記厚板領域に隣接し、前記厚板領域よりも縦方向の厚みが薄い薄板領域と、を備え、 前記厚板領域の上面と前記薄板領域の上面との間に段差が形成されており、 前記薄板領域の上面より上方の前記半導体基板に前記半導体素子が形成されており、 前記厚板領域の上面に第1端子が接続されており、 前記薄板領域の一部に第2端子が接続されている、半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 23/36 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/868 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872
FI (5件)：
H01L23/36 C ,  H01L29/91 C ,  H01L29/91 F ,  H01L29/48 F ,  H01L29/48 D
Fターム (23件)：
4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB36 ,  4M104CC03 ,  4M104DD06 ,  4M104DD26 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104FF03 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03 ,  4M104GG06 ,  4M104GG07 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  5F136BB01 ,  5F136BC01 ,  5F136BC05 ,  5F136CB06 ,  5F136DA22 ,  5F136FA82
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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