特許

J-GLOBAL ID：201503002438748585

ナノワイヤの作製方法

発明者： 舘野 功太 ,  章 国強 ,  後藤 秀樹
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (3件)： 山川 政樹 ,  山川 茂樹 ,  小池 勇三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-206124
公開番号（公開出願番号）：特開2015-067530
出願日： 2013年10月01日
公開日（公表日）： 2015年04月13日
要約：

【課題】より容易に高い品質のナノワイヤが形成できるようにする。【解決手段】工程S101で、基板の上に触媒金属の微粒子を配置する(微粒子配置工程)。例えば、主表面の面方位を(111)B面としたInP基板の上に、Auからなる直径10nm程度の微粒子を配置する。次に、工程S102で、上述したように微粒子を配置した基板の上に有機金属から構成された原料ガスを供給し、微粒子を触媒に原料ガスより結晶化したナノワイヤを成長する(ナノワイヤ成長工程)。例えば、原料ガスとしてトリメチルインジウムおよびターシャリブチルフォスフィンを供給し、InPからなるナノワイヤを形成する。このとき、原料ガスに加えて(CH3)3CClのガスを供給する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板の上に触媒金属の微粒子を配置する微粒子配置工程と、 前記微粒子を配置した前記基板の上に有機金属から構成された原料ガスを供給し、前記微粒子を触媒として前記原料ガスより結晶化したナノワイヤを成長するナノワイヤ成長工程と を備え、 前記ナノワイヤ成長工程では、前記原料ガスに加えて(CH3)3CClのガスを供給する ことを特徴とするナノワイヤの作製方法。

IPC (7件)：

C30B 29/62 ,  B82Y 40/00 ,  H01L 33/06 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/20 ,  C30B 29/40

FI (7件)：

C30B29/62 V ,  B82Y40/00 ,  H01L33/00 112 ,  H01L21/205 ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/20 ,  C30B29/40 502L

Fターム (44件)：

4G077AA04 ,  4G077BE41 ,  4G077DB05 ,  4G077DB06 ,  4G077DB12 ,  4G077EE05 ,  4G077HA02 ,  4G077TB03 ,  4G077TB05 ,  4G077TC13 ,  4G077TC19 ,  4G077TK13 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB12 ,  5F045AC00 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AF04 ,  5F045AF14 ,  5F141AA31 ,  5F141AA40 ,  5F141CA04 ,  5F141CA05 ,  5F141CA10 ,  5F141CA23 ,  5F141CA35 ,  5F141CA39 ,  5F141CA65 ,  5F141CA77 ,  5F141CB36 ,  5F241AA31 ,  5F241AA40 ,  5F241CA04 ,  5F241CA05 ,  5F241CA10 ,  5F241CA23 ,  5F241CA35 ,  5F241CA39 ,  5F241CA65 ,  5F241CA77 ,  5F241CB36

引用特許：

審査官引用 (1件)

• ナノ構造及びナノワイヤーの組立方法並びにそれらから組立てられた装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-253763   出願人：ザ・リージェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・カリフォルニア

引用文献：

審査官引用 (2件)

• In Situ Etching for Total Control Over Axial and Radial Nanowire Growth
• Alloy composition control of InGaAs/InP grown by Cl-assisted MOVPE with tertiarybutylchloride