特許
J-GLOBAL ID：201503002740492485

パターン形成方法、原版及びデータ処理方法

発明者：
浅野 昌史

浅野 昌史 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-127101
公開番号（公開出願番号）：特開2013-251492
特許番号：特許第5816133号
出願日： 2012年06月04日
公開日（公表日）： 2013年12月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板の主面の上に絶縁層を形成する工程と、 前記絶縁層に、前記主面に沿った第1方向に第1の長さを有する第1開口部と、前記第1方向に前記第1の長さよりも長い第2の長さを有する第2開口部と、を同一の原版を用いて形成する工程と、 前記第1開口部内に第1パターンを形成する工程と、 前記第2開口部内に、前記第1パターンの材料及び前記絶縁層の材料とは異なる材料からなる第2パターンを形成する工程と、 前記絶縁層、前記第1パターン及び前記第2パターンに接するブロックコポリマー膜を形成する工程と、 前記ブロックコポリマー膜を相分離させて、前記第2パターンの誘導により第3パターンを形成する工程と、 前記第3パターンを基準に前記第1パターンと接する第4パターンを形成する工程と、 を備えたパターン形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/768 ( 200 6.01) ,  B29C 59/00 ( 200 6.01) ,  H01L 21/027 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 21/90 A ,  B29C 59/00 B ,  H01L 21/30 502 D
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM