特許
J-GLOBAL ID：200903023361118044
微細パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-310857
公開番号（公開出願番号）：特開2009-147331
出願日： 2008年12月05日
公開日（公表日）： 2009年07月02日
要約：
【課題】少なくとも三つの高分子ブロックを備えるブロック共重合体を利用した微細パターン形成方法を提供する。【解決手段】基板115上に相異なる反復単位を有する第1高分子ブロック、第2高分子ブロック及び第3高分子ブロックを有するブロック共重合体層を形成し、ブロック共重合体層140 ́を相分離させて、第1高分子ブロックを含有する複数個の第1ドメイン140A、第2高分子ブロックを含有する複数個の第2ドメイン140B、及び第3高分子ブロックを含有する複数個の第3ドメイン140Cを形成し、第1ドメイン140Aから第3ドメイン140Cのうち少なくとも一つのドメインを選択的に除去して微細マスクパターンを形成する。【選択図】図1F
請求項（抜粋）：
基板上に相異なる反復単位を有する第1高分子ブロック、第2高分子ブロック及び第3高分子ブロックを有するブロック共重合体層を形成するステップと、
前記ブロック共重合体層を相分離させて、第1高分子ブロックを含有する複数個の第1ドメイン、第2高分子ブロックを含有する複数個の第2ドメイン、及び第3高分子ブロックを含有する複数個の第3ドメインを形成するステップと、
前記第1から第3ドメインのうち少なくとも一つのドメインを選択的に除去して微細マスクパターンを形成するステップと、を含むことを特徴とする微細パターン形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/306
, H01L 21/027
H01L21/302 105A
, H01L21/30 569H
5F004AA09
, 5F004AA16
, 5F004DA26
, 5F004DB03
, 5F004EA03
, 5F004EA40
, 5F046AA28
