特許
J-GLOBAL ID：201503003131017040
シリコンウェーハ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木下 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-163958
公開番号（公開出願番号）：特開2015-032810
出願日： 2013年08月07日
公開日（公表日）： 2015年02月16日
要約：
【課題】半導体デバイス形成工程における熱処理時のスリップ転位の発生が抑制され、かつ、デバイス形成領域におけるCOPや酸素析出核等の結晶欠陥が低減されるとともに、バルク部における酸素析出核が面内径方向に均一に制御されたシリコンウェーハ及びその製造方法を提供する。【解決手段】チョクラルスキー法により育成したシリコン単結晶インゴットからスライスしたウェーハに、酸素含有雰囲気中、最高到達温度1300〜1380°Cの範囲内で5〜60秒間保持する急速昇降温熱処理を施した後、ウェーハのデバイス形成面1を、下記式(1)〜(3)より算出されるXの値以上除去する。X[μm]=a[μm]+b[μm]......(1)a[μm]=(0.0031×最高到達温度[°C]-3.1)×6.4×降温速度-0.4[°C/秒]......(2)b[μm]=a/(酸素固溶限[atoms/cm3]/基板酸素濃度[atoms/cm3])......(3)【選択図】図1
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法により育成したシリコン単結晶インゴットからスライスされたシリコンウェーハに、酸素含有雰囲気中、最高到達温度を1300〜1380°Cの範囲内の温度とし、前記最高到達温度での保持時間を5〜60秒間として急速昇降温熱処理を施す工程と、前記熱処理を施したウェーハの表面を除去する工程とを備え、
前記除去工程におけるウェーハのデバイス形成面の除去量を、下記式(1)〜(3)より算出されるXの値以上とすることを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
X[μm]=a[μm]+b[μm] ......(1)
a[μm]=(0.0031×最高到達温度[°C]-3.1)×6.4×降温速度-0.4[°C/秒] ......(2)
b[μm]=a/(酸素固溶限[atoms/cm3]/基板酸素濃度[atoms/cm3]) ......(3)
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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