シリコンウェーハの製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：松山允之 , 池上徹真 , 須藤章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-198680
公開番号（公開出願番号）：特開2010-040587
出願日： 2008年07月31日
公開日（公表日）： 2010年02月18日
要約：

【課題】急速加熱・急速冷却熱処理時におけるスリップの発生を抑制しつつ、Grown-in欠陥の低減力を向上させることができるシリコンウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶インゴットから製造されたシリコンウェーハに対して、酸素ガス分圧が20%以上100%以下である酸化性ガス雰囲気中、最高到達温度(T1)1300°C以上1380°Cで、急速加熱・急速冷却熱処理を行う【選択図】図2

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶インゴットから製造されたシリコンウェーハに対して、酸素ガス分圧が20%以上100%以下である酸化性ガス雰囲気中、最高到達温度1300°C以上1380°C以下で、急速加熱・急速冷却熱処理を行うことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/26 , H01L 21/322 , C30B 29/06 , C30B 33/02 , C30B 15/00

FI (5件)：

H01L21/26 F , H01L21/322 Y , C30B29/06 502H , C30B33/02 , C30B15/00 Z

Fターム (11件)：

4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077BA04 , 4G077CF10 , 4G077EB06 , 4G077FE04 , 4G077FE11 , 4G077FE13 , 4G077FG11 , 4G077HA12 , 4G077PA06

引用特許：

出願人引用 (6件)

シリコン単結晶ウェーハおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-158458 出願人：住友シチックス株式会社
シリコンエピタキシャルウエーハ、アニールウエーハならびにこれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-377988 出願人：信越半導体株式会社
シリコンウェーハの熱処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-025468 出願人：三菱住友シリコン株式会社

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審査官引用 (11件)

シリコン単結晶ウェーハの熱処理方法とその熱処理装置並びにシリコン単結晶ウェーハとその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-185923 出願人：住友シチックス株式会社
シリコン基板の熱処理方法及びその基板、その基板を用いたエピタキシャルウエーハ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-208712 出願人：信越半導体株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-218653 出願人：松下電器産業株式会社

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