特許

J-GLOBAL ID：201503003157940785

成膜装置及び成膜方法

発明者： 小林 洋介 ,  小田木 秀幸 ,  久保 昌司 ,  石渡 信治 ,  早坂 智洋 ,  小室 健司 ,  清田 哲司
出願人/特許権者： 株式会社アルバック
代理人 (2件)： 大森 純一 ,  折居 章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-178082
公開番号（公開出願番号）：特開2015-045075
出願日： 2013年08月29日
公開日（公表日）： 2015年03月12日
要約：

【課題】生産性の向上を図ることができ、多品種少量生産にも対応可能とする。【解決手段】成膜装置100は、第1の成膜ユニット21と、第2の成膜ユニット22と、第1の排気ユニット41と、第2の排気ユニット42とを具備する。第1の成膜ユニット21は、第1の処理室31と、第1の処理室31を密閉可能な第1の扉11とを含む。第2の成膜ユニット21は、第2の処理室32と、第2の処理室32を密閉可能な第2の扉12とを含む。第1の排気ユニット41は、第1の真空ポンプP1を有し、第1及び第2の処理室31,32のいずれか一方を真空排気可能に構成される。第2の排気ユニット42は、第1の真空ポンプP1よりも到達真空度が高い第2の真空ポンプP2を有し、第1及び第2の処理室31,32のいずれか一方を真空排気可能に構成される。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

第1の成膜源を有する第1の処理室と、成膜すべき基材を支持可能な第1の支持体を有し前記第1の処理室を密閉可能な第1の扉と、を含む第1の成膜ユニットと、 第2の成膜源を有する第2の処理室と、成膜すべき基材を支持可能な第2の支持体を有し前記第2の処理室を密閉可能な第2の扉と、を含む第2の成膜ユニットと、 第1の真空ポンプを有し、前記第1の処理室及び前記第2の処理室のいずれか一方を真空排気可能に構成された第1の排気ユニットと、 前記第1の真空ポンプよりも到達真空度が高い第2の真空ポンプを有し、前記第1の処理室及び前記第2の処理室のいずれか一方を真空排気可能に構成された第2の排気ユニットと を具備する成膜装置。

IPC (2件)：

C23C 14/56 ,  C23C 16/44

FI (2件)：

C23C14/56 F ,  C23C16/44 B

Fターム (10件)：

4K029DA01 ,  4K029DA02 ,  4K029DA03 ,  4K029EA03 ,  4K029JA02 ,  4K030GA06 ,  4K030KA08 ,  4K030KA28 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-291442   出願人：東京エレクトロン株式会社, 株式会社東芝

審査官引用 (1件)

• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-291442   出願人：東京エレクトロン株式会社, 株式会社東芝