特許

J-GLOBAL ID：201503003986249543

陽極化成処理による多孔質シリコン基板の製造方法

発明者： 川合 健太郎 ,  森田 瑞穂 ,  打越 純一 ,  足達 健二 ,  永井 隆文
出願人/特許権者： 国立大学法人大阪大学 ,  ダイキン工業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人三枝国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-039940
公開番号（公開出願番号）：特開2015-165037
出願日： 2014年02月28日
公開日（公表日）： 2015年09月17日
要約：

【課題】安価且つ簡便に、多孔質半導体基板(特に深いトレンチ構造を有する半導体基板)を製造する方法を提供する。【解決手段】多孔質シリコン基板の製造方法であって、化成処理液中で、シリコン基板を陽極として、陰極との間で通電を行い、陽極化成処理を施す工程を備え、且つ、前記シリコン基板は、N-F結合を有する有機化合物を用いて、少なくとも片面に凹部が形成されたシリコン基板である、製造方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

多孔質シリコン基板の製造方法であって、 (1)化成処理液中で、シリコン基板を陽極として、陰極との間で通電を行い、陽極化成処理を施す工程 を備え、且つ、 前記シリコン基板は、N-F結合を有する有機化合物を用いて、少なくとも片面に凹部が形成されたシリコン基板である、製造方法。

IPC (2件)：

C25D 11/32 ,  C23F 1/10

FI (2件)：

C25D11/32 ,  C23F1/10

Fターム (4件)：

4K057WA20 ,  4K057WB01 ,  4K057WE30 ,  4K057WN02