特許
J-GLOBAL ID：201503004323539129
無線周波数の用途のためのMEMSデバイスを備えた可変キャパシタ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山田 卓二
, 田中 光雄
, 竹内 三喜夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-526658
公開番号（公開出願番号）：特表2015-525978
出願日： 2013年08月07日
公開日（公表日）： 2015年09月07日
要約：
可変キャパシタ(300)は、接合パッド(30)と連結されたRF電極(202,402)を有するセル(200,400)を備える。各セルは、キャパシタンスが可動電極を用いて変化する複数のMEMSデバイス(100)を備える。MEMSデバイスは、セルの封止空洞内に設置され、セルのRF電極の長さに沿って互いに隣接して配置される。各セルのRF電極は、RFライン(402)および追加のグランド電極(404)が得られるように、そして、MEMSセルの機械的性能に影響を及ぼすことなく、セルのRFキャパシタンスを拡大縮小するように、トリム調整可能である。各セルは、RFキャパシタンスとは関係なく、同じ制御キャパシタンスを有する。これにより各セルが、RF動作に必要とされる同じアイソレーション抵抗を使用することが可能になり、各セルは同じ寄生容量を有する。これによりCMOS制御回路は、最適化が可能になり、セルのダイナミック性能の整合化が可能になる。
請求項（抜粋）：
基板と、
基板上に設置された1つ以上の接合パッドと、
基板上に設置され、該1つ以上の接合パッドと連結された第1セルと、
基板上に設置され、該1つ以上の接合パッドと連結された第2セルとを備え、
第1セルは、第1端および第2端を有し、
・該1つ以上の接合パッドおよび第1セルの第1端と連結されたRF電極と、
・RF電極の上に設置された複数のMEMSデバイスであって、各MEMSデバイスは第1端および第2端を有し、各MEMSデバイスはRF電極の上に設置されている、複数のMEMSデバイスと、
・各MEMSデバイスの第1端および第2端ならびに第1セルの第2端と連結された1つ以上のグランド電極とを備え、
第2セルは、第1端および第2端を有し、
・該1つ以上の接合パッドと連結されたRF電極と、
・全部より少ないMEMSデバイスがRF電極の上に設置されている、複数のMEMSデバイスと、
・各MEMSデバイスの第1端および第2端ならびに第1セルの第2端と連結された1つ以上のグランド電極とを備える、可変キャパシタ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (20件)：
3C081AA13
, 3C081BA22
, 3C081BA33
, 3C081BA44
, 3C081BA48
, 3C081BA53
, 3C081CA03
, 3C081CA13
, 3C081CA20
, 3C081CA27
, 3C081CA29
, 3C081CA31
, 3C081DA03
, 3C081DA27
, 3C081DA29
, 3C081DA30
, 3C081DA45
, 3C081EA24
, 5E082CC02
, 5E082PP09
