特許

J-GLOBAL ID：201503004823227654

六ホウ化金属冷電界エミッター、その製造方法及び電子銃

発明者： ザン ハン ,  唐 捷 ,  秦 禄昌 ,  ユエン ジンシ ,  新谷 紀雄 ,  山内 泰
出願人/特許権者： 国立研究開発法人物質・材料研究機構
代理人 (2件)： 西澤 利夫 ,  續 成朗
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-523691
特許番号：特許第5794598号
出願日： 2013年06月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 先端に水素による安定化処理を施した金属終端(100)表面を有する六ホウ化金属のナノロッドを設けた、六ホウ化金属冷電界エミッター。

IPC (3件)：

H01J 1/304 ( 200 6.01) ,  H01J 37/073 ( 200 6.01) ,  H01J 9/02 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01J 1/30 F ,  H01J 37/073 ,  H01J 9/02 B

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 希土類六ホウ化物冷陰極電界放出型電子源
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-097291   出願人：独立行政法人物質・材料研究機構

引用文献：

出願人引用 (1件)

• Nanostructuree LaB6 Field Emitter with Lowest Apical Work Function