特許

J-GLOBAL ID：201503005413443518

太陽電池の製造方法

発明者： ヒュン, デオ ワン ,  チョ, ジェ オク ,  リ, ドン ホ ,  アン, ギ リョン ,  リュ, ヒュン チョル ,  リ ヨン ファ ,  キム, ガン イル
出願人/特許権者： ハンワ ケミカル コーポレイション
代理人 (1件)： 長門 侃二
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-502444
特許番号：特許第5813204号
出願日： 2012年02月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 基板を切断した後、SDR(sawing damage removal)により前記基板の表面からダメージを除去する段階と、 RIE(reactive ion etching)により前記基板の表面を構造化する(texturing)段階と、 前記基板の表面を、前記基板を構成する物質とは異なる物質でドーピングする段階と、 前記基板表面からダメージおよび酸化膜(PSG(phosphoric silicate glass))を同時に除去する段階と、 前記基板の表面上に反射防止膜(anti-reflective coating)を形成する段階と、 レーザエッチング方式により前記基板のエッジにレーザを照射して前記反射防止膜(antireflective coating)とエッジを分離させる段階と、 前記基板の前面および後面に前面電極および後面電極を形成するように基板を金属化する段階と、を含み、 前記基板表面からダメージおよび酸化膜(PSG(phosphoric silicate glass))を同時に除去する段階が、低濃度のKOHまたはNH4OH/H2O/H2O2溶液を用いて前記基板の表面からダメージを除去する段階と、HCl/HF溶液を用いて前記基板の表面をクリーニングする段階とを含み、一つのウェットエッチング装置で行われることを特徴とする、太陽電池の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 31/0236 ( 200 6.01) ,  H01L 21/308 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3065 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 31/04 280 ,  H01L 21/308 B ,  H01L 21/302 104 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 太陽電池の製造方法及び太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-127898   出願人：信越半導体株式会社, 信越化学工業株式会社
• 太陽電池生産方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-308051   出願人：三菱電機株式会社