太陽電池生産方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：宮田金雄 , 高瀬彌平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-308051
公開番号（公開出願番号）：特開2004-146491
出願日： 2002年10月23日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：

【課題】従来の太陽電池生産方法では、シリコン太陽電池のpn接合を形成する際に、表面にデバイス性能を低下させる不純物高濃度領域が生じていた。この発明は量産性を重視し、簡潔な手法により、この領域を取り除くことによって、太陽電池の性能改善を図ることを目的とする。【解決手段】半導体基板の表面に導電型を反転させた拡散層を備えた構造体を加工することにより太陽電池を得る太陽電池生産方法であって、構造体を弗化水素酸(HF)水溶液に浸漬して構造体の拡散層の表面を除去する表面除去工程を備えて構成した。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に導電型を反転させた拡散層を備えた構造体を加工することにより太陽電池を得る太陽電池生産方法であって、前記構造体を弗化水素酸(HF)水溶液に浸漬して前記構造体の前記拡散層の表面を除去する表面除去工程を備えたことを特徴とする太陽電池生産方法。

IPC (1件)：

H01L31/04

FI (1件)：

H01L31/04 A

Fターム (6件)：

5F051AA02 , 5F051AA16 , 5F051CB20 , 5F051CB21 , 5F051DA03 , 5F051GA04

引用特許：

出願人引用 (9件)

光電変換装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-130499 出願人：シャープ株式会社
太陽電池の製法及びこの製法で得られる製品
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-034083 出願人：インテルウニフェルシテールミクロエレクトロニカセントルムフェライニジンクゾンダウィンストベヤーク
太陽電池及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-071610 出願人：信越半導体株式会社, 信越化学工業株式会社

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審査官引用 (4件)

光電変換装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-130499 出願人：シャープ株式会社
薄型太陽電池及びその製造方法,エッチング方法及び自動エッチング装置,並びに半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-032351 出願人：三菱電機株式会社
太陽電池の製法及びこの製法で得られる製品
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-034083 出願人：インテルウニフェルシテールミクロエレクトロニカセントルムフェライニジンクゾンダウィンストベヤーク

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