半導体装置用積層構造体、半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)： SK特許業務法人 , 奥野彰彦 , 伊藤寛之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-039652
公開番号（公開出願番号）：特開2015-164158
出願日： 2014年02月28日
公開日（公表日）： 2015年09月10日
要約：

【課題】、移動度が高い結晶性酸化物薄膜を含む半導体装置用積層構造体を提供する。【解決手段】本発明によれば、下地基板と、その上に形成され且つ少なくともガリウムと鉄とを共に含む結晶性酸化物薄膜を含む、半導体装置用積層構造体であって、前記結晶性酸化物薄膜は、ガリウムに対する鉄の原子比が0.05以上である、半導体装置用積層構造体が提供される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

下地基板と、その上に形成され且つ少なくともガリウムと鉄とを共に含む結晶性酸化物薄膜を含む、半導体装置用積層構造体であって、前記結晶性酸化物薄膜は、ガリウムに対する鉄の原子比が0.05以上である、半導体装置用積層構造体。

IPC (6件)：

H01L 29/24 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/365 , H01L 21/368 , C01G 49/00

FI (6件)：

H01L29/24 , H01L29/78 618B , H01L29/78 618A , H01L21/365 , H01L21/368 Z , C01G49/00 A

Fターム (27件)：

4G002AA06 , 4G002AB01 , 4G002AD04 , 4G002AE05 , 5F045AA03 , 5F045AB40 , 5F045AF09 , 5F045BB16 , 5F045CA05 , 5F045DA61 , 5F045DP07 , 5F045EE02 , 5F053AA50 , 5F053DD20 , 5F053FF01 , 5F053GG01 , 5F053HH05 , 5F053LL10 , 5F110AA07 , 5F110CC01 , 5F110DD01 , 5F110DD04 , 5F110DD06 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG32 , 5F110GG44

引用文献：

審査官引用 (1件)

Fabrication of Highly Crystalline Corundum-Structu

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