特許

J-GLOBAL ID：201503005553164235

ワイドバンドギャップ半導体材料含有のエミッタ領域を有する太陽電池

発明者： スワンソン、リチャード エム. ,  ブネア、マリウス エム. ,  スミス、デイビッド ディー. ,  シェン、ユ-チェン ,  カズンズ、 ピーター ジェイ. ,  デニス、ティム
出願人/特許権者： サンパワー コーポレイション
代理人 (1件)： 龍華国際特許業務法人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-501665
公開番号（公開出願番号）：特表2015-514314
出願日： 2012年12月19日
公開日（公表日）： 2015年05月18日
要約：

ワイドバンドギャップ半導体材料から構成されるエミッタ領域を有する太陽電池が記載されている。或る実施例において、或る方法は、制御雰囲気を有する処理ツールにて太陽電池の半導体基板の表面上に薄い誘電体層を形成する段階を含む。半導体基板は、バンドギャップを有する。処理ツールの制御雰囲気から半導体基板を除去することなしに、薄い誘電体層上に半導体層が形成される。半導体層のバンドギャップは、半導体基板のバンドギャップを少なくとも約0.2エレクトロンボルト(eV)上回る。

請求項（抜粋）：

太陽電池の製造方法であって、 制御雰囲気を有する処理ツールにて、前記処理ツールの前記制御雰囲気から半導体基板を除去することなしに前記太陽電池の前記半導体基板の表面上に薄い誘電体層を形成する段階と、 前記薄い誘電体層上に半導体層を形成する段階と、 を含み、 前記半導体基板がバンドギャップを有し、 前記半導体層のバンドギャップが前記半導体基板の前記バンドギャップを少なくとも約0.2エレクトロンボルト(eV)上回る、太陽電池の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 31/074 ,  H01L 31/021 ,  H01L 31/023 ,  H01L 31/18 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/205

FI (9件)：

H01L31/06 440 ,  H01L31/06 455 ,  H01L31/04 240 ,  H01L31/04 280 ,  H01L31/04 420 ,  H01L31/04 440 ,  H01L21/31 B ,  H01L21/31 C ,  H01L21/205

Fターム (29件)：

5F045AA06 ,  5F045AA08 ,  5F045AA20 ,  5F045AB06 ,  5F045AB09 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AF03 ,  5F045CA13 ,  5F045DA52 ,  5F151AA02 ,  5F151AA05 ,  5F151AA08 ,  5F151AA16 ,  5F151CB20 ,  5F151CB21 ,  5F151CB24 ,  5F151CB27 ,  5F151DA03 ,  5F151DA07 ,  5F151DA11 ,  5F151DA20 ,  5F151FA15 ,  5F151FA17 ,  5F151GA04 ,  5F151GA15 ,  5F151HA03 ,  5F151HA06 ,  5F151HA07

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 結晶太陽電池及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-204734   出願人：株式会社アルバック
• 特開平1-289271