特許
J-GLOBAL ID：201203041767179366
結晶太陽電池及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
志賀 正武
, 鈴木 慎吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-204734
公開番号（公開出願番号）：特開2012-060080
出願日： 2010年09月13日
公開日（公表日）： 2012年03月22日
要約：
【課題】光電変換特性をさらに向上させた太陽電池を提供する。【解決手段】本発明の太陽電池は、光を受光する受光面と該受光面と対向する裏面との間で光電変換機能を発現する結晶性基板を具備する結晶太陽電池であって、前記結晶性基板が、p型若しくはn型の単結晶又は多結晶シリコンからなる平板状の基体であり、前記基体の前記受光面側に配され、該基体と逆又は同導電型の非晶質又は微結晶シリコンからなる第一半導体層と、前記基体の前記裏面側に配され、該第一半導体層と逆導電型の非晶質又は微結晶シリコンからなる第二半導体層と、前記基体と前記第一半導体層との間、又は前記基体と前記第二半導体層との間に配された酸化シリコン層を備えている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
光を受光する受光面と該受光面と対向する裏面との間で光電変換機能を発現する結晶性基板を具備する結晶太陽電池であって、
前記結晶性基板が、p型若しくはn型の単結晶又は多結晶シリコンからなる平板状の基体であり、
前記基体の前記受光面側に配され、該基体と逆又は同導電型の非晶質又は微結晶シリコンからなる第一半導体層と、
前記基体の前記裏面側に配され、該第一半導体層と逆導電型の非晶質又は微結晶シリコンからなる第二半導体層と、
前記基体と前記第一半導体層との間、又は前記基体と前記第二半導体層との間に配された酸化シリコン層を備えていること、を特徴とする結晶太陽電池。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (20件)：
5F151AA02
, 5F151AA03
, 5F151AA04
, 5F151AA05
, 5F151AA16
, 5F151CA07
, 5F151CA15
, 5F151CB24
, 5F151DA03
, 5F151DA07
, 5F151DA12
, 5F151FA04
, 5F151FA10
, 5F151FA14
, 5F151FA15
, 5F151FA18
, 5F151FA23
, 5F151GA04
, 5F151GA15
, 5F151HA20
審査官引用 (9件)
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光起電力装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-268199
出願人：三洋電機株式会社
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光電池および光電池を製造するための方法
公報種別：公表公報
出願番号：特願平7-511140
出願人：ユニヴェルシテドゥヌーシャテルアンスティチュドゥミクロテクニク
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特開平4-192569
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