特許
J-GLOBAL ID:201503006058219748
薄膜太陽電池の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人深見特許事務所
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-233941
公開番号(公開出願番号):特開2013-016870
特許番号:特許第5829200号
出願日: 2012年10月23日
公開日(公表日): 2013年01月24日
請求項(抜粋):
【請求項1】 透明絶縁基板(2)上に順次積層された透明電極層(3)と半導体光電変換層(4)と裏面電極層(5)とを含むセルの複数が電気的に直列に接続されたセル集積部(11)と、
前記セル集積部(11)の周縁部のセルである第1のセル(図2(b)に示す右端のセル)の裏面電極層(5)上に設けられた電流取り出し用電極(10)と、を備え、
前記セル集積部(11)は、前記第1のセルと、前記第1のセルと隣り合う第2のセルとの間に裏面電極層(5)および半導体光電変換層(4)が除去された部分である第2分離溝(8)を有し、
前記第1のセルの透明電極層(3)の一端は、前記第2分離溝(8)を横切って、前記第2のセルの領域まで延在する延出部を有し、かつ前記第2のセルの透明電極層(3)とは、その長手方向と直交する方向の両端に形成された交差溝をアライメントマークとして分離抵抗検査された第1分離溝(6)によって電気的に絶縁されており、
前記第2のセルの裏面電極層(5)と、前記第1のセルの前記透明電極層(3)の前記延出部とは、半導体光電変換層(4)が除去された部分であるコンタクトライン(7)を通して電気的に接続されており、
前記電流取り出し用電極(10)が設けられた前記第1のセルの前記電流取り出し用電極(10)の直下における透明電極層(3)は、前記第1分離溝(6)によって前記第1のセルの透明電極層(3)と分離することにより前記第2のセルと電気的に絶縁されており、
前記第1のセルの透明電極層(3)は、前記第1のセルの前記第1分離溝(6)で分離された2つの透明電極層(3)のうち大きな表面を有する方の透明電極層(図2(b)に示す右端のセルの半導体光電変換層(4)の下方に接して第1分離溝(6)で分離された2つの透明電極層(3)のうち図面左側の透明電極層(3))であり、
前記第2のセルの透明電極層(3)は、前記第2のセルの前記第1分離溝(6)で分離された2つの透明電極層(3)のうち大きな表面を有する方の透明電極層(図2(b)に示す右端のセルと隣り合うセルの半導体光電変換層(4)の下方に接して第1分離溝(6)で分離された2つの透明電極層(3)のうち図面左側の透明電極層(3))であり、
前記セル集積部(11)を構成する前記セルの直列接続方向と直交する方向の両端のみに、透明電極層(3)のみが突出した部分を有している薄膜太陽電池の製造方法であって、該突出部の外側に存在していた全ての透明電極層(3)と半導体光電変換層(4)と裏面電極層(5)とをレーザ光照射により除去する工程を含む、薄膜太陽電池の製造方法。
IPC (1件):
FI (1件):
引用特許:
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