特許
J-GLOBAL ID：201503006177443400
半導体モジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
大岩 増雄
, 竹中 岑生
, 村上 啓吾
, 吉澤 憲治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-016571
公開番号（公開出願番号）：特開2015-144169
出願日： 2014年01月31日
公開日（公表日）： 2015年08月06日
要約：
【課題】半導体素子の表面に形成されたトランジスタ及び半導体素子自体の破壊を防止し、かつ大電流に対応可能で信頼性の高い良好な接合部を設けた半導体モジュールを提供する。【解決手段】両面に導電パターン5a,5bが形成された絶縁基板と、絶縁基板に接合され、対向する面に表面電極1が形成された半導体素子10と、表面電極1よりも硬度が低くかつ第1の電気伝導率を有する第1導電層3bと第1の電気伝導率よりも大きい第2の電気伝導率を有する第2導電層3aとが接合された二層構造導電端子3と、絶縁基板と半導体素子10と二層構造導電端子3を封止する樹脂部材と、を備えている半導体モジュール。二層構造導電端子3は第1導電層3bを表面電極1と対向させて半導体素子10に接合されており、二層構造導電端子3と半導体素子10との接合部に設けられた第2導電層3aの開口部3oに表面電極1と第1導電層3bとの接合面3jが形成されている。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
両面に導電パターンが形成されている絶縁基板と、
前記絶縁基板が一方の面に接合され、前記一方の面と対向する面には表面電極が形成されている半導体素子と、
前記表面電極よりも硬度が低くかつ第1の電気伝導率を有する第1導電層と前記第1の電気伝導率よりも大きい第2の電気伝導率を有する第2導電層とが接合されてなる二層構造導電端子と、
前記絶縁基板と前記半導体素子と前記二層構造導電端子を封止する樹脂部材と、を備え、前記二層構造導電端子は前記第1導電層を前記表面電極と対向させて前記半導体素子に接合されており、
前記二層構造導電端子と前記半導体素子との接合部には、前記第2導電層に開口部が設けられていて、
前記開口部に前記表面電極と前記第1導電層との接合面が形成されていることを特徴とする半導体モジュール。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/60 321E
, H01L23/48 S
4E167AA06
, 4E167AA08
, 4E167BE00
, 4E167DA05
