特許
J-GLOBAL ID：200903009151605560
半導体装置およびその製造に用いるスポット摩擦攪拌接合装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-116585
公開番号（公開出願番号）：特開2007-288095
出願日： 2006年04月20日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：
【課題】リードフレームを絶縁基板,ないし半導体チップに接合した組立構造の半導体装置を対象に、信頼性の高い接合強度が確保できるように接合部材の厚さ,形状,材質を最適化したスポット摩擦撹拌接合装置を提供する。【解決手段】絶縁基板2、該絶縁基板にマウントした半導体チップ3にリードフレーム4,5の接合脚片4a,5aを重ね、ここに回転ツール7を押し込んでスポット摩擦攪拌接合した組立構造になる半導体装置において、リードフレームの接合脚片については、そのスポット接合部の厚さt1を500μm以下に薄肉化して摩擦攪拌接合する際の塑性流動化を促進するようにし、また絶縁基板の導体パターン2bの厚さt2を0.5〜3mmに厚肉化して摩擦攪拌接合時の塑性流動範囲を拡大するとともに、導体パターンの領域まで貫入した回転ツールが絶縁基板のセラミック基板2aに当たるのを防ぐようにする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
絶縁基板と、該絶縁基板にマウントした半導体チップと、絶縁基板の導体パターン,半導体チップの上面電極,半導体チップの上面電極に接合されたヒートスプレッダの上面のいずれかに接合したリードフレームを有し、該リードフレームの端部に形成した接合脚片を接合相手である前記絶縁基板の導体パターン,半導体チップの上面側電極面にメタライズした金属膜,またはヒートスプレッダに重ね合わせ、その上から回転ツールを押し込んでリードフレーム/絶縁基板の導体パターン間,リードフレーム/半導体チップの金属膜間を摩擦攪拌接合法によりスポット接合した半導体装置において、
前記接合脚片におけるスポット接合部の厚さを500μm以下に定めたことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/12
, B23K 20/12
, H01L 21/60
, H01L 21/607
H01L23/12 K
, B23K20/12 364
, B23K20/12 346
, H01L21/60 321E
, H01L21/607 Z
4E067AA05
, 4E067AA07
, 4E067AA25
, 4E067BG00
, 4E067CA04
, 4E067DA00
, 4E067EA05
, 4E067EB09
, 4E067EC03
