高周波数CMUT

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：片寄恭三
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-501818
公開番号（公開出願番号）：特表2015-519769
出願日： 2013年03月15日
公開日（公表日）： 2015年07月09日
要約：

高周波数容量性マイクロマシン超音波トランスデューサ(CMUT)(300)が、シリコン膜(320)と上に重なる金属シリサイド層(326)とを有し、シリコン膜(320)と金属シリサイド層(326)が共に、キャビティ(322)を介して振動し得る導電構造を形成する。CMUTはさらに、一群の導電構造に接する金属構造(330)を有する。この金属構造は、金属構造を完全に貫通して延びて導電構造を露出させる開口(334)を有する。

請求項（抜粋）：

トランスデューサ構造であって、或る導電型と表面領域とを有する基板、前記基板に接する後構造であって、頂部表面を有し、非導電性である前記後構造、前記後構造の前記頂部表面に接する第1の導電構造であって、前記第1の導電構造が、頂部表面を有し、前記基板の前記表面領域の上にあり前記表面領域から離間しており、前記第1の導電構造の前記頂部表面が、中央領域と周りの周辺領域とを有する、前記第1の導電構造、及び前記第1の導電構造の前記周辺領域に接する第2の導電構造であって、前記第1の導電構造の前記頂部表面の前記中央領域を露出させるように前記第2の導電構造を完全に貫通して延びる開口を有する、前記第2の導電構造、を含む、トランスデューサ構造。

IPC (9件)：

H04R 19/00 , H04R 1/40 , H01L 29/84 , H01L 21/320 , H01L 21/768 , H01L 23/522 , B81B 3/00 , B81C 1/00 , A61B 8/14

FI (7件)：

H04R19/00 330 , H04R1/40 330 , H01L29/84 Z , H01L21/88 Z , B81B3/00 , B81C1/00 , A61B8/14

Fターム (63件)：

3C081AA13 , 3C081BA30 , 3C081BA32 , 3C081BA45 , 3C081BA48 , 3C081BA55 , 3C081BA72 , 3C081CA02 , 3C081CA15 , 3C081CA20 , 3C081CA28 , 3C081DA27 , 3C081EA22 , 3C081EA39 , 4C601GB06 , 4C601GB14 , 4C601GB41 , 4M112AA06 , 4M112BA07 , 4M112CA01 , 4M112CA03 , 4M112CA04 , 4M112CA11 , 4M112CA13 , 4M112DA04 , 4M112DA09 , 4M112DA14 , 4M112DA15 , 4M112EA04 , 4M112EA11 , 4M112FA01 , 4M112FA20 , 4M112GA01 , 5D019AA07 , 5D019DD01 , 5D019FF04 , 5D019HH01 , 5D019HH02 , 5F033HH03 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH25 , 5F033HH27 , 5F033MM07 , 5F033MM11 , 5F033PP15 , 5F033QQ07 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ19 , 5F033QQ58 , 5F033QQ70 , 5F033QQ73 , 5F033QQ76 , 5F033RR04 , 5F033RR21 , 5F033RR30 , 5F033SS27 , 5F033UU04 , 5F033VV07 , 5F033VV10 , 5F033VV13 , 5F033XX10

引用特許：

出願人引用 (3件)

特許第6430109号
特許第7489593号
音響センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-023757 出願人：松下電工株式会社

審査官引用 (3件)

特許第6430109号
特許第7489593号
音響センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-023757 出願人：松下電工株式会社

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