特許

J-GLOBAL ID：201503007127413948

半導体装置の作製方法

発明者： 岡本 悟
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-214517
公開番号（公開出願番号）：特開2014-042051
特許番号：特許第5703358号
出願日： 2013年10月15日
公開日（公表日）： 2014年03月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 基板上に第1の絶縁膜を形成し、 前記第1の絶縁膜上に島状の第1の半導体層を形成し、 前記第1の半導体層に第1の変質処理を行うことで、前記第1の半導体層の表面に第2の絶縁膜を形成するとともに、前記第1の半導体層を第2の半導体層とし、 前記第2の絶縁膜を除去するとともに、前記第1の半導体層の下端を露出するように、前記第1の絶縁膜の一部を除去し、 前記第2の半導体層に第2の変質処理を行うことで、前記第2の半導体層の表面に第3の絶縁膜を形成するとともに、前記第2の半導体層を第3の半導体層とし、 前記第3の絶縁膜上に第4の絶縁膜を形成し、 前記第4の絶縁膜上にゲート電極を形成し、 前記第3の半導体層と電気的に接続する第1電極及び第2電極を形成し、 前記第3の絶縁膜及び前記第4の絶縁膜はゲート絶縁膜として機能し、 前記第3の半導体層の上端及び下端は丸みをもつことを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01)

FI (9件)：

H01L 29/78 618 C ,  H01L 29/78 618 D ,  H01L 29/78 617 V ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/28 301 A ,  H01L 29/78 627 F

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平3-022567
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-117882   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開平4-301623
  

審査官引用 (3件)

• 特開平3-022567
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-117882   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開平4-301623