レーザ処理システム内の粒子制御

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：園田吉隆 , 小林義教
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-534584
公開番号（公開出願番号）：特表2014-535164
出願日： 2012年09月14日
公開日（公表日）： 2014年12月25日
要約：

本発明は全体として、基板を熱処理するレーザ処理システムに関する。レーザ処理システムは、レーザ処理システムのエネルギー源と熱処理すべき基板との間に配置されたシールドを含む。シールドは、シールド内の空洞に隣接して配置された光学的に透明な窓を含む。光学的に透明な窓により、アニールエネルギーはこの窓を通過して、基板に照射することが可能になる。シールドはまた、シールド内の空洞へのパージガスの導入および空洞からのパージガスの除去のために、1つまたは複数のガス入口および1つまたは複数のガス出口を含む。パージガスを利用して、熱処理中に揮発または溶発した成分を除去し、酸素を含まないガスなどの所定の組成のガスを熱処理された領域に提供する。

請求項（抜粋）：

レーザ処理システム内の汚染を低減させる装置であって、空洞を画定する本体を備え、前記本体が、第1の直径を有する第1の端部、および前記第1の直径より小さい第2の直径を有する第2の端部を有する円錐形部分と、前記円錐形部分の前記第2の端部に接合された円筒形部分と、前記円錐形部分の前記第1の端部の周りに円周方向に形成された第1のガス入口ポートと、前記本体の前記円筒形部分の周りに円周方向に形成された第2のガス入口ポートと、前記円錐形部分の前記第1の端部に配置された透明な窓とを有する、装置。

IPC (3件)：

H01L 21/265 , H01L 21/268 , B23K 26/142

FI (3件)：

H01L21/265 602C , H01L21/268 G , B23K26/142

Fターム (4件)：

4E168DA44 , 4E168DA45 , 4E168FC01 , 4E168FC04

引用特許：

出願人引用 (10件)

レーザ照射源
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-568629 出願人：ハイデルベルガードルツクマシーネンアクチエンゲゼルシヤフト
特開昭52-037298
特開昭62-204518

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審査官引用 (9件)

レーザ照射源
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-568629 出願人：ハイデルベルガードルツクマシーネンアクチエンゲゼルシヤフト
特開昭60-204518
特開平1-152718

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