特許
J-GLOBAL ID：201503007442190290
エッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
重泉 達志
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-247290
公開番号（公開出願番号）：特開2013-106044
特許番号：特許第5808725号
出願日： 2012年11月09日
公開日（公表日）： 2013年05月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 サファイア基板上の基板用マスク層上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
前記レジスト膜に所定のパターンを形成するパターン形成工程と、
変質用条件のバイアス出力を加えて、Arガスのプラズマを前記基板用マスク層へ誘導し、前記パターンが形成された前記レジスト膜を変質させてエッチング選択比を高くするレジスト変質工程と、
前記変質用条件より高いバイアス出力を加えて、Arガスのプラズマを前記基板用マスク層へ誘導し、エッチング選択比が高くなった前記レジスト膜をマスクとして前記基板用マスク層のエッチングを行う被加工材のエッチング工程と、
エッチングされた基板用マスク層をマスクとして、前記サファイア基板のエッチングを行って、前記サファイア基板に凹凸形状を形成する基板のエッチング工程と、を含むエッチング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065 ( 200 6.01)
, H01L 33/22 ( 201 0.01)
H01L 21/302 105 A
, H01L 33/00 172
