窒化物半導体結晶の製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-295279
公開番号（公開出願番号）：特開2008-110895
出願日： 2006年10月31日
公開日（公表日）： 2008年05月15日
要約：

【課題】窒化物半導体結晶との溶解速度差が小さい材料からなるバッファ層を用いた場合であっても、選択的エッチングにより短時間でバッファ層を溶解させて、窒化物半導体結晶を異種基板から分離可能とすることができる、窒化物半導体結晶の製造方法を提供すること。【解決手段】異種基板上にバッファ層を介して層状の窒化物半導体結晶が形成されてなるエピタキシャルウェハであって、該窒化物半導体結晶が気相成長により形成されたものであり、該異種基板の該窒化物半導体結晶が形成された側の主面が加工により凹凸面とされており、該凹凸面の凹部と該窒化物半導体結晶との間に空隙が形成されているエピタキシャルウェハを準備する。次に、前記バッファ層を前記窒化物半導体結晶に対して選択的に溶解させ得るエッチング液を前記空隙の内部に導入し、該エッチング液によって前記バッファ層を溶解させて、前記窒化物半導体結晶を前記異種基板から分離させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

(イ)異種基板上にバッファ層を介して層状の窒化物半導体結晶が形成されてなるエピタキシャルウェハであって、該窒化物半導体結晶が気相成長により形成されたものであり、該異種基板の該窒化物半導体結晶が形成された側の主面が加工により凹凸面とされており、該凹凸面の凹部と該窒化物半導体結晶との間に空隙が形成されているエピタキシャルウェハを準備する、エピタキシャルウェハ準備工程と、 (ロ)前記バッファ層を前記窒化物半導体結晶に対して選択的に溶解させ得るエッチング液を前記空隙の内部に導入し、該エッチング液によって前記バッファ層を溶解させて、前記窒化物半導体結晶を前記異種基板から分離させる、分離工程と、を有する窒化物半導体結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/38 , H01L 33/00

FI (2件)：

C30B29/38 D , H01L33/00 C

Fターム (21件)：

4G077AA03 , 4G077BE11 , 4G077BE15 , 4G077DB05 , 4G077DB08 , 4G077EA02 , 4G077EA05 , 4G077EB01 , 4G077ED06 , 4G077EE02 , 4G077EF02 , 4G077EH01 , 4G077FJ03 , 4G077HA12 , 5F041CA04 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA76 , 5F041CA77

引用特許：

出願人引用 (4件)

GaN系結晶基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-188776 出願人：三菱電線工業株式会社
半導体基材及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-335591 出願人：三菱電線工業株式会社
半導体層の成長方法および半導体発光素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-182037 出願人：ソニー株式会社

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