自立形非平面状多結晶合成ダイヤモンドコンポーネント

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：辻居幸一 , 熊倉禎男 , 弟子丸健 , 井野砂里 , 松下満 , 倉澤伊知郎 , 渡邊誠
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-514430
公開番号（公開出願番号）：特表2015-523952
出願日： 2013年05月23日
公開日（公表日）： 2015年08月20日
要約：

核生成フェース及び成長フェースを備えた自立形非平面状多結晶CVD合成ダイヤモンドコンポーネントであって、核生成フェースは、成長フェースよりも小さな結晶粒を有し、核生成フェースは、50nm以下の表面粗さRaを有し、自立形非平面状多結晶CVD合成ダイヤモンドコンポーネントは、平面上に投影されたときに5mm以上の最も長い直線寸法を有し、自立形非平面状多結晶CVD合成ダイヤモンドコンポーネントには、少なくともその中央領域にわたって実質的にクラックがなく、中央領域は、自立形非平面状多結晶CVD合成ダイヤモンドコンポーネントの全面積の少なくとも70%であり、中央領域には、自立形非平面状多結晶CVD合成ダイヤモンドコンポーネントの外側主要フェースの両方と交差し且つ長さが2mmを超えて延びるクラックがないことを特徴とする自立形非平面状多結晶CVD合成ダイヤモンドコンポーネント。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

核生成フェース及び成長フェースを備えた自立形非平面状多結晶CVD合成ダイヤモンドコンポーネントであって、前記核生成フェースは、前記成長フェースよりも小さな結晶粒を有し、前記核生成フェースは、50nm以下の表面粗さRaを有し、前記自立形非平面状多結晶CVD合成ダイヤモンドコンポーネントは、平面上に投影されたときに5mm以上の最も長い直線寸法を有し、前記自立形非平面状多結晶CVD合成ダイヤモンドコンポーネントには、少なくともその中央領域にわたって実質的にクラックがなく、前記中央領域は、前記自立形非平面状多結晶CVD合成ダイヤモンドコンポーネントの全面積の少なくとも70%であり、前記中央領域には、前記自立形非平面状多結晶CVD合成ダイヤモンドコンポーネントの外側主要フェースの両方と交差し且つ長さが2mmを超えて延びるクラックがない、自立形非平面状多結晶CVD合成ダイヤモンドコンポーネント。

IPC (4件)：

C30B 29/04 , C23C 16/27 , H04R 31/00 , H04R 7/02

FI (4件)：

C30B29/04 E , C23C16/27 , H04R31/00 A , H04R7/02 A

Fターム (26件)：

4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077AB09 , 4G077AB10 , 4G077BA03 , 4G077DB07 , 4G077DB19 , 4G077EB01 , 4G077EG15 , 4G077GA01 , 4G077GA05 , 4G077HA04 , 4K030BA28 , 4K030BB03 , 4K030CA02 , 4K030CA11 , 4K030DA02 , 4K030DA08 , 4K030FA01 , 4K030JA10 , 4K030KA26 , 4K030LA11 , 5D016AA08 , 5D016EC28 , 5D016JA13 , 5D016JA17

引用特許：

審査官引用 (6件)

成型ダイヤモンド膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-114887 出願人：国立大学法人電気通信大学, 株式会社キャンパスクリエイト
特開平4-228497
ダイヤモンド担持半導体デバイスおよび形成方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2007-513429 出願人：スン,チェン-ミン

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