特許
J-GLOBAL ID：201503008315324828
半導体光集積素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, ▲高▼木 邦夫
, 近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-047643
公開番号（公開出願番号）：特開2015-172618
出願日： 2014年03月11日
公開日（公表日）： 2015年10月01日
要約：
【課題】予測していなかった電流の経路を生成しない構造を有する半導体光集積素子を提供する。【解決手段】半絶縁性半導体基板13の第1領域13aの第1面12cに沿ってn型半導体層31が多モード干渉器15の端部から延出するので、n型半導体層31と第1導電層21との間には半絶縁性半導体基板13が位置する。発明者らの検討・解析によれば、単位面積当たりでは非常に僅かな基板リーク電流が流れる。多モード干渉器15及び受光素子17のためのn型半導体層が半絶縁性半導体基板の主面を大きく覆うとき、半絶縁性半導体基板13のサイズが大きいが故に、結果的に基板リーク電流がフォトダイオードの暗電流程度にまで多くなる。第1導電層21を第1領域13aの第2面上に設けると共に、第1導電層21から隔置するように第2導電層23を第2領域13bの第2面13d上に設ける。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体光集積素子であって、
第1軸の方向に配列された第1領域及び第2領域を含むと共に第1面及び第2面を有する半絶縁性半導体基板と、
前記半絶縁性半導体基板の前記第1領域の前記第1面上に設けられ、入力光導波路及び出力光導波路を含む多モード干渉器と、
前記多モード干渉器の前記出力光導波路に突き当て接合構造を介して光学的に結合され、前記半絶縁性半導体基板の前記第2領域の前記第1面上に設けられた複数の受光素子と、
前記半絶縁性半導体基板の前記第2領域上に設けられたキャパシタ素子と、
前記半絶縁性半導体基板の前記第1領域の前記第2面上に設けられた第1導電層と、
前記半絶縁性半導体基板の前記第2領域の前記第2面上に設けられ前記第1導電層から隔置された第2導電層と、
前記半絶縁性半導体基板の前記第2領域上において前記第1面から前記第2面に到達する一又は複数の貫通孔に設けられ前記第2導電層への接続のための導電体と、
を備え、
前記半絶縁性半導体基板の前記第1面は前記第2面の反対側に有り、
前記キャパシタ素子は、前記受光素子に電気的に接続された第1電極と前記第2導電層に電気的に接続された第2電極とを含み、
前記多モード干渉器は、n型半導体層を備える第1クラッド半導体層、コア半導体層及び第2クラッド半導体層を含み、前記第1クラッド半導体層、前記コア半導体層及び前記第2クラッド半導体層は、前記半絶縁性半導体基板の前記第1領域の前記第1面上において前記第1面の法線方向に順に配列され、
前記n型半導体層は、前記多モード干渉器の両側に前記半絶縁性半導体基板の前記第1領域の前記第1面に沿って延出する、半導体光集積素子。
IPC (3件)：
G02B 6/122
, H01L 31/10
, G02F 2/00
G02B6/12 B
, H01L31/10 A
, G02F2/00
, G02B6/12 D
2H147AB05
, 2H147AB10
, 2H147AB11
, 2H147BA06
, 2H147BE22
, 2H147CC12
, 2H147CD02
, 2H147DA08
, 2H147DA09
, 2H147DA10
, 2H147DA19
, 2H147EA12A
, 2H147EA12B
, 2H147EA12C
, 2H147EA14B
, 2H147EA39C
, 2H147FA01
, 2H147FC01
, 2H147FC02
, 2H147FC07
, 2H147FD12
, 2H147FD15
, 2H147GA28
, 2K102BA40
, 2K102BD01
, 2K102DA04
, 2K102DC08
, 2K102DD03
, 2K102EB01
, 2K102EB22
, 5F049MA04
, 5F049MB07
, 5F049MB12
, 5F049NA03
, 5F049NA05
, 5F049NB01
, 5F049PA04
, 5F049PA14
, 5F049QA02
, 5F049QA08
, 5F049RA06
, 5F049SE05
, 5F049SE12
, 5F049SS04
, 5F049SZ12
, 5F049UA13
, 5F049WA01
