特許

J-GLOBAL ID：201503008570645689

半導体装置

発明者： 山崎 舜平 ,  山田 良則 ,  野中 裕介 ,  太田 将志 ,  黒澤 陽一 ,  石原 典隆 ,  浜田 崇 ,  一條 充弘 ,  恵木 勇司
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-043762
公開番号（公開出願番号）：特開2015-181161
出願日： 2015年03月05日
公開日（公表日）： 2015年10月15日
要約：

【課題】トランジスタの半導体などに適用可能な、酸化物を作製する方法を提供する。特に、結晶粒界などの欠陥の少ない酸化物を作製する方法を提供する。【解決手段】酸化物半導体と、絶縁体と、導電体と、を有し、酸化物半導体は、絶縁体を介して、酸化物半導体と導電体とが互いに重なる領域を有し、酸化物半導体は、円相当径が1nm以上の結晶粒と、円相当径が1nm未満の結晶粒と、を有する半導体装置である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸化物半導体と、絶縁体と、導電体と、を有し、 前記酸化物半導体は、前記絶縁体を介して、前記酸化物半導体と前記導電体とが互いに重なる領域を有し、 前記酸化物半導体は、円相当径が1nm以上の結晶粒と、円相当径が1nm未満の結晶粒と、を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/365 ,  H01L 21/363

FI (4件)：

H01L29/78 618B ,  H01L21/365 ,  H01L29/78 618G ,  H01L21/363

Fターム (133件)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA42 ,  4K030BB01 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030GA12 ,  4K030LA12 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AA08 ,  5F045AA15 ,  5F045AA19 ,  5F045AB40 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AF01 ,  5F045AF03 ,  5F045AF07 ,  5F045AF10 ,  5F045BB12 ,  5F045BB18 ,  5F045CA15 ,  5F045DA52 ,  5F045DA58 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ17 ,  5F045EF05 ,  5F045HA16 ,  5F045HA24 ,  5F103AA04 ,  5F103AA08 ,  5F103DD30 ,  5F103GG02 ,  5F103GG03 ,  5F103GG10 ,  5F103HH03 ,  5F103HH04 ,  5F103HH05 ,  5F103LL07 ,  5F103LL13 ,  5F103PP03 ,  5F103RR06 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA30 ,  5F110BB03 ,  5F110BB04 ,  5F110BB05 ,  5F110CC01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD06 ,  5F110DD08 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE25 ,  5F110EE30 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HM05 ,  5F110HM17 ,  5F110NN03 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 電界効果型トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-325369   出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学