特許

J-GLOBAL ID：200903042136520792

電界効果型トランジスタの製造方法

発明者： 薮田 久人 ,  佐野 政史 ,  岩崎 達哉 ,  細野 秀雄 ,  神谷 利夫 ,  野村 研二
出願人/特許権者： キヤノン株式会社 ,  国立大学法人東京工業大学
代理人 (3件)： 山下 穣平 ,  志村 博 ,  永井 道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-325369
公開番号（公開出願番号）：特開2006-165531
出願日： 2005年11月09日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：

【課題】電界効果型トランジスタに関する新規な製造方法を提供する。 【解決手段】基板上に、非晶質酸化物層を形成する前に、基板表面にオゾン雰囲気中で紫外線を照射したり、基板表面にプラズマを照射したり、あるいは基板表面を過酸化水素を含有する薬液により洗浄する。または、非晶質酸化物を含み構成される活性層を形成する工程をオゾンガス、窒素酸化物ガス等の少なくともいずれかを含む雰囲気中で行う。または、基板上に、非晶質酸化物層を形成する後に、非晶質酸化物層の成膜温度よりも高い温度で熱処理する工程を含む。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

電界効果型トランジスタの製造方法であって、 基板を用意する第1の工程、及び該基板上に非晶質酸化物を含み構成される活性層を形成する第2の工程を備え、且つ 該第2の工程前に、 該基板表面にオゾン雰囲気中で紫外線を照射する工程、該基板表面にプラズマを照射する工程、及び該基板表面を、過酸化水素を含有する薬液により洗浄する工程 のうちの、少なくともいずれかの工程を行うことを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L29/78 618A ,  H01L29/78 618B

Fターム (29件)：

5F110AA01 ,  5F110AA17 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG04 ,  5F110GG07 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK08 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-096983   出願人：シャープ株式会社

審査官引用 (7件)

• ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-266012   出願人：科学技術振興事業団, 太田裕道
• 薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-081483   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-086175   出願人：ミノルタ株式会社
• 薄膜半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-020819   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-223042   出願人：ミノルタ株式会社
• 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-208948   出願人：ホーヤ株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-018243   出願人：三洋電機株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 高移動度(>10cm2/Vs)を有するアモルファス酸化物半導体InGaZnO4の室