特許
J-GLOBAL ID：201503009466078230

半導体デバイス、その製造方法およびその評価方法

発明者：
塩谷 陽平

塩谷 陽平 について

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三橋 史典

三橋 史典 について

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善積 祐介

善積 祐介 について

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石塚 貴司

石塚 貴司 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-066103
公開番号（公開出願番号）：特開2015-191925
出願日： 2014年03月27日
公開日（公表日）： 2015年11月02日
要約：
【課題】従来に比べて高い電子移動度を有するIII族窒化物半導体層を含む半導体デバイスを提供する。【解決手段】半導体デバイス2は、支持基板10と、第1のn型III族窒化物半導体層21と、第1のn型III族窒化物半導体層21に比べてn型キャリア濃度が低い第2のn型III族窒化物半導体層22と、を含む半導体層付基板1を含み、半導体層付基板1および半導体デバイス2の少なくとも一つについて、20K以下の温度で測定される第2のn型III族窒化物半導体層22のフォトルミネッセンススペクトルにおいて、自由励起子発光ピーク強度IFに対するアクセプタ束縛励起子発光ピーク強度IAの強度比IA/IFが0.01以下、かつ、ドナー束縛励起子発光ピーク強度IDに対するアクセプタ束縛励起子発光ピーク強度IAの強度比IA/IDが0.35以下である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
支持基板と、前記支持基板の一主面側に配置された第1のn型III族窒化物半導体層と、前記第1のn型III族窒化物半導体層上に配置されかつ前記第1のn型III族窒化物半導体層に比べてn型キャリア濃度が低い第2のn型III族窒化物半導体層と、を含む半導体層付基板を含む半導体デバイスであって、 前記半導体層付基板および前記半導体デバイスの少なくとも一つについて、20K以下の温度で測定される前記第2のn型III族窒化物半導体層のフォトルミネッセンススペクトルにおいて、自由励起子発光ピーク強度IFに対するアクセプタ束縛励起子発光ピーク強度IAの強度比IA/IFが0.01以下、かつ、ドナー束縛励起子発光ピーク強度IDに対するアクセプタ束縛励起子発光ピーク強度IAの強度比IA/IDが0.35以下である半導体デバイス。
IPC (5件)：
H01L 29/872 ,  H01L 21/66 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/20 ,  H01L 29/47
FI (7件)：
H01L29/86 301Z ,  H01L21/66 L ,  H01L29/86 301P ,  H01L29/86 301D ,  H01L29/20 ,  H01L29/48 D ,  H01L29/48 P
Fターム (14件)：
4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104DD34 ,  4M104FF02 ,  4M104FF13 ,  4M104GG03 ,  4M104HH20 ,  4M106AA10 ,  4M106AB11 ,  4M106CA18
引用特許：
審査官引用 (3件)

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