特許
J-GLOBAL ID:201503009952273175
半導体素子及びその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
,
代理人 (4件):
平田 忠雄
, 岩永 勇二
, 遠藤 和光
, 伊藤 浩行
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-127962
公開番号(公開出願番号):特開2015-002343
出願日: 2013年06月18日
公開日(公表日): 2015年01月05日
要約:
【課題】Ga2O3層の表面を覆う酸化物絶縁膜を有し、リーク電流の発生を効果的に抑制することができる半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】一実施の形態として、電流経路となる、結晶質のGa2O3からなるGa2O3層3と、Ga2O3層3の表面を覆う酸化物絶縁膜14と、を有し、酸化物絶縁膜14は、Ga2O3層3に接触する結晶質の酸化物絶縁体を主成分とする結晶質層14aと、結晶質層14a上の非晶質の酸化物絶縁体を主成分とする非晶質層14bとを含む、Ga2O3系MISFET10を提供する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
電流経路となる、結晶質のGa2O3からなるGa2O3層と、
前記Ga2O3層の表面を覆う酸化物絶縁膜と、
を有し、
前記酸化物絶縁膜は、前記Ga2O3層に接触する結晶質の酸化物絶縁体を主成分とする結晶質層と、前記結晶質層上の非晶質の前記酸化物絶縁体を主成分とする非晶質層とを含む、
半導体素子。
IPC (9件):
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 21/337
, H01L 29/808
, H01L 29/12
, H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 29/786
, H01L 21/316
FI (15件):
H01L29/80 B
, H01L29/80 V
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 652K
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 658F
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 617U
, H01L29/78 617T
, H01L29/78 617S
, H01L29/78 626C
, H01L29/78 619A
, H01L29/78 615
, H01L21/316 X
, H01L29/78 301B
Fターム (90件):
5F058BA06
, 5F058BC03
, 5F058BF02
, 5F058BF07
, 5F058BF73
, 5F102GB01
, 5F102GB04
, 5F102GC01
, 5F102GC09
, 5F102GD01
, 5F102GD10
, 5F102GJ01
, 5F102GL01
, 5F102GR01
, 5F102GS01
, 5F102GT01
, 5F102GV06
, 5F102GV08
, 5F110AA06
, 5F110CC01
, 5F110DD01
, 5F110DD04
, 5F110EE02
, 5F110EE04
, 5F110EE14
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF05
, 5F110FF09
, 5F110FF27
, 5F110FF28
, 5F110FF29
, 5F110GG01
, 5F110GG12
, 5F110GG17
, 5F110GG32
, 5F110GG34
, 5F110GG42
, 5F110GG44
, 5F110GG52
, 5F110GG55
, 5F110HK02
, 5F110HK04
, 5F110HK21
, 5F110HK42
, 5F110HM14
, 5F110NN03
, 5F110NN04
, 5F110NN05
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN28
, 5F110NN33
, 5F110NN34
, 5F110NN35
, 5F110QQ09
, 5F110QQ14
, 5F140AA24
, 5F140BA00
, 5F140BA16
, 5F140BA20
, 5F140BB15
, 5F140BC06
, 5F140BC12
, 5F140BD01
, 5F140BD05
, 5F140BD11
, 5F140BE09
, 5F140BE10
, 5F140BE16
, 5F140BF01
, 5F140BF05
, 5F140BF06
, 5F140BF07
, 5F140BF11
, 5F140BF15
, 5F140BF16
, 5F140BJ01
, 5F140BJ05
, 5F140BJ06
, 5F140BJ07
, 5F140BJ11
, 5F140BJ15
, 5F140BJ16
, 5F140BK17
, 5F140BK20
, 5F140CC02
, 5F140CC03
, 5F140CC11
, 5F140CE02
引用特許:
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