記憶装置、半導体装置、及び電子機器

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-184795
公開番号（公開出願番号）：特開2015-195331
出願日： 2014年09月11日
公開日（公表日）： 2015年11月05日
要約：

【課題】オーバーヘッド時間を短くできる記憶装置と、当該記憶装置を用いた半導体装置を提供する。【解決手段】電源電圧の供給によりデータDが保持される第1回路と、第2回路と、を有する。第2回路は、データに対応した第1電位と、第1配線に供給される第2電位のいずれか一方を選択する第3回路と、チャネル形成領域が酸化物半導体膜に設けられる第1トランジスタと、第1トランジスタを介して供給される、第3回路により選択された第1電位または第2電位を、保持する容量素子と、容量素子に保持される電位に従って、第3電位を供給することができる第2配線と、第1回路との間の導通状態を制御する第2トランジスタと、を有する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

第1回路と、第2回路と、を有する記憶装置であって、前記第1回路は、データを保持することができる機能を有し、前記第2回路は、第3回路と、第1トランジスタと、第2トランジスタと、容量素子と、を有し、前記第3回路は、第1電位、または、第2電位のいずれか一方を選択することができる機能を有し、前記第1電位は、前記データに対応した電位であり、第1配線は、前記第2電位を供給することができる機能を有し、第2配線は、第3電位を供給することができる機能を有し、前記第1トランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体膜に設けられ、前記容量素子は、前記第1トランジスタを介して供給される、前記第3回路により選択された前記第1電位または前記第2電位を、保持することができる機能を有し、前記第2トランジスタは、前記容量素子に保持される電位に従って、前記第2配線と、前記第1回路との間の導通状態を制御することができる機能を有する記憶装置。

IPC (12件)：

H01L 21/824 , H01L 27/108 , H03K 3/037 , H01L 21/336 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115 , H01L 27/11 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , H01L 29/786 , G11C 11/405

FI (10件)：

H01L27/10 321 , H03K3/037 B , H01L29/78 371 , H01L27/10 434 , H01L27/10 381 , H01L21/28 301B , H01L29/50 M , H01L29/78 613B , H01L29/78 618B , G11C11/34 352B

Fターム (118件)：

4M104AA01 , 4M104AA02 , 4M104AA03 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104CC01 , 4M104DD15 , 4M104DD71 , 4M104FF01 , 4M104FF02 , 4M104FF04 , 4M104FF09 , 4M104FF21 , 4M104FF26 , 4M104FF27 , 4M104FF31 , 4M104GG04 , 4M104GG09 , 4M104GG16 , 5F083AD02 , 5F083AD10 , 5F083AD14 , 5F083AD69 , 5F083BS01 , 5F083BS13 , 5F083BS27 , 5F083BS50 , 5F083EP22 , 5F083EP63 , 5F083EP68 , 5F083EP75 , 5F083GA01 , 5F083GA05 , 5F083GA06 , 5F083GA10 , 5F083GA25 , 5F083GA27 , 5F083HA02 , 5F083HA06 , 5F083HA08 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083MA19 , 5F083NA01 , 5F083NA02 , 5F083PR22 , 5F083PR33 , 5F083ZA12 , 5F083ZA13 , 5F083ZA15 , 5F083ZA19 , 5F083ZA25 , 5F101BA17 , 5F101BD02 , 5F101BD30 , 5F101BD33 , 5F101BD35 , 5F101BD37 , 5F101BD39 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BF01 , 5F101BF02 , 5F101BF09 , 5F101BG09 , 5F101BH16 , 5F110AA06 , 5F110BB05 , 5F110CC01 , 5F110CC02 , 5F110CC05 , 5F110CC10 , 5F110DD01 , 5F110DD05 , 5F110DD06 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE31 , 5F110FF02 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG16 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG22 , 5F110GG24 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG43 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN24 , 5F110NN62 , 5F110NN65 , 5F110NN66 , 5F110NN72 , 5F110NN74 , 5F110NN78 , 5F110PP03 , 5F110QQ09 , 5J043EE01 , 5J043JJ08 , 5M024AA50 , 5M024AA94 , 5M024CC04 , 5M024PP01 , 5M024PP04 , 5M024PP07 , 5M024PP08

引用特許：

審査官引用 (4件)

記憶回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-023613 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
記憶回路、信号処理回路、電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-099438 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-308326 出願人：株式会社ルネサステクノロジ

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