磁場発生装置及び磁場発生方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (3件)：杉村憲司 , 齋藤恭一 , 小松靖之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-042009
公開番号（公開出願番号）：特開2015-167576
出願日： 2014年03月04日
公開日（公表日）： 2015年09月28日
要約：

【課題】均一な磁場空間の位置について設計自由度を向上させるような磁場分布を有する磁場を発生する、高温超電導バルク磁石を用いた磁場発生装置及び磁場発生方法を提供する。【解決手段】磁場発生装置1は、超電導バルク磁石を備える磁極部2を備え、超電導状態において、前記超電導バルク磁石から発生する磁場は、前記磁極部の磁極面に、凹型形状の磁場分布を有する磁場を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

超電導バルク磁石を備える磁極部を備え、超電導状態において、前記超電導バルク磁石から発生する磁場は、前記磁極部の磁極面に、凹型形状の磁場分布を有する磁場を形成することを特徴とする磁場発生装置。

IPC (3件)：

A61B 5/055 , G01R 33/38 , H01F 6/00

FI (3件)：

A61B5/05 331 , G01N24/06 510Z , H01F7/22 Z

Fターム (8件)：

4C096AB41 , 4C096AD08 , 4C096CA02 , 4C096CA31 , 4C096CA36 , 4C096CA38 , 4C096CA51 , 4C096CA70

引用特許：

審査官引用 (8件)

核磁気共鳴装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-061895 出願人：理化学研究所, アイシン精機株式会社
片側開放型多重円筒磁気回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-226606 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
特表平4-504756

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