特許
J-GLOBAL ID：201503011819969014

気相成長装置および気相成長方法

発明者：
高橋 英志

高橋 英志 について

, 
佐藤 裕輔

佐藤 裕輔 について


出願人/特許権者：
株式会社ニューフレアテクノロジー

株式会社ニューフレアテクノロジー について


代理人 (3件)： 池上 徹真 ,  須藤 章 ,  松山 允之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-073344
公開番号（公開出願番号）：特開2015-195312
出願日： 2014年03月31日
公開日（公表日）： 2015年11月05日
要約：
【目的】簡便な構成で安定した有機金属含有ガスの供給を実現する気相成長装置を提供する。【構成】実施形態の気相成長装置は、反応室と、第1の有機金属を貯留する第1の貯留容器と、主キャリアガスが供給され、反応室に第1の有機金属を含むソースガスを供給するソースガス供給路と、槽内の温度が槽外の温度よりも高く設定され、第1の貯留容器を格納する恒温槽と、第1の貯留容器に第1のキャリアガスを供給する第1のキャリアガス供給路と、ソースガス供給路に恒温槽外で接続され、第1の貯留容器でのバブリングまたは昇華により生成される第1の有機金属を含む第1の有機金属含有ガスを輸送する第1の有機金属含有ガス輸送路と、第1の有機金属含有ガス輸送路に恒温槽内で接続され、希釈ガスを輸送する希釈ガス輸送路と、を備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
反応室と、 第1の有機金属を貯留する第1の貯留容器と、 主キャリアガスが供給され、前記反応室に前記第1の有機金属を含むソースガスを供給するソースガス供給路と、 槽内の温度が槽外の温度よりも高く設定され、前記第1の貯留容器を格納する恒温槽と、 前記第1の貯留容器に第1のキャリアガスを供給する第1のキャリアガス供給路と、 前記ソースガス供給路に前記恒温槽外で接続され、前記第1の貯留容器でのバブリングまたは昇華により生成される前記第1の有機金属を含む第1の有機金属含有ガスを輸送する第1の有機金属含有ガス輸送路と、 前記第1の有機金属含有ガス輸送路に前記恒温槽内で接続され、希釈ガスを輸送する希釈ガス輸送路と、 を備えることを特徴とする気相成長装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/448
FI (2件)：
H01L21/205 ,  C23C16/448
Fターム (29件)：
4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AC19 ,  5F045CA01 ,  5F045CA10 ,  5F045DP03 ,  5F045EC07 ,  5F045EC09 ,  5F045EE01 ,  5F045EE02 ,  5F045EF05 ,  5F045EM10
引用特許：
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM