特許

J-GLOBAL ID：201503013568956832

検量線の作成方法、不純物濃度の測定方法、及び半導体ウェハの製造方法

発明者： 中川 聰子 ,  鹿島 一曰兒
出願人/特許権者： グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社
代理人 (11件)： 蔵田 昌俊 ,  福原 淑弘 ,  野河 信久 ,  峰 隆司 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  井関 守三 ,  井上 正 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-107545
公開番号（公開出願番号）：特開2015-222801
出願日： 2014年05月23日
公開日（公表日）： 2015年12月10日
要約：

【課題】半導体中の不純物濃度を高い精度で測定可能な方法を提供する。【解決手段】検量線の作成方法は、同一の半導体からなる複数の第1試料に不純物を互いに異なる量でイオン注入することと、不純物をイオン注入した第1試料の各々について、フォトルミネッセンス法により不純物に由来する発光の強度を測定して、注入した不純物の量と発光の強度との関係を求めることと、第1試料と同一の半導体からなる第2試料について、第1試料の各々に対するフォトルミネッセンス法による発光の強度測定と同じ条件のもとで、フォトルミネッセンス法により第2試料に含まれている不純物に由来する発光の強度を測定することと、上記関係と、第2試料について得られた発光の強度と、フォトルミネッセンス法以外の方法で測定した第2試料に含まれている不純物の濃度とに基づいて、不純物の濃度とこの不純物に由来する発光の強度との関係を表す検量線を作成することとを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

同一の半導体からなる複数の第1試料に不純物を互いに異なる量でイオン注入することと、 前記不純物をイオン注入した前記複数の第1試料の各々について、フォトルミネッセンス法により前記不純物に由来する発光の強度を測定して、注入した前記不純物の量と前記発光の強度との関係を求めることと、 前記複数の第1試料と同一の半導体からなる第2試料について、前記複数の第1試料の各々に対するフォトルミネッセンス法による発光の強度の測定と同じ条件のもとで、フォトルミネッセンス法により前記第2試料に含まれている前記不純物に由来する発光の強度を測定することと、 前記関係と、前記第2試料について得られた発光の強度と、フォトルミネッセンス法以外の方法で測定した第2試料に含まれている前記不純物の濃度とに基づいて、前記不純物の濃度とこの不純物に由来する発光の強度との関係を表す検量線を作成することと を含んだ検量線の作成方法。

IPC (1件)：

H01L 21/66

FI (1件)：

H01L21/66 L

Fターム (6件)：

4M106AA01 ,  4M106AA10 ,  4M106BA02 ,  4M106BA05 ,  4M106CA18 ,  4M106CB01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体シリコン結晶中の酸素濃度評価方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-059967   出願人：信越半導体株式会社
• 不純物濃度測定方法および不純物濃度測定装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-011823   出願人：三菱電機株式会社
• エピタキシャル結晶の評価方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-184327   出願人：株式会社日鉱マテリアルズ
• シリコン単結晶中窒素濃度算出方法および抵抗シフト量算出方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-195845   出願人：信越半導体株式会社