特許

J-GLOBAL ID：201303057737831914

不純物濃度測定方法および不純物濃度測定装置

発明者： 清井 明 ,  中島 優 ,  引地 敏彰
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-011823
公開番号（公開出願番号）：特開2013-152977
出願日： 2012年01月24日
公開日（公表日）： 2013年08月08日
要約：

【課題】本発明は、ウェハの厚さが薄い場合であっても、低濃度の不純物を含有しているウェハに対しても不純物濃度を正確に測定できる、不純物濃度測定方法を提供する。【解決手段】本発明に係る不純物濃度測定方法は、ウェハ8に対して電子線を照射した後に、当該ウェハに対してフォトルミネセンス法を実施する。これにより、ウェハ8を構成する元素に由来するフォトルミネセンスの強度である第一の強度と、不純物の元素に由来するフォトルミネセンスの強度である第二の強度とを、取得する。そして、第一の強度と、第二の強度と、予め用意されている検量線とを用いて、ウェハ8における不純物の濃度を測定する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

ウェハに含まれる不純物の濃度を測定する不純物濃度測定方法であって、 (A)前記ウェハに対して、電子線を照射する工程と、 (B)前記工程(A)の後に、前記ウェハに対してフォトルミネセンス法を実施することにより、前記ウェハを構成する元素に由来するフォトルミネセンスの強度である第一の強度と、前記不純物の元素に由来するフォトルミネセンスの強度である第二の強度とを、取得する工程と、 (C)前記第一の強度と、前記第二の強度と、予め用意されている検量線とを用いて、前記ウェハにおける前記不純物の濃度を測定する工程とを、備える、 ことを特徴とする不純物濃度測定方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  G01N 21/64 ,  G01N 21/00

FI (3件)：

H01L21/66 N ,  G01N21/64 Z ,  G01N21/00 B

Fターム (37件)：

2G043AA01 ,  2G043BA07 ,  2G043CA07 ,  2G043DA05 ,  2G043DA08 ,  2G043DA09 ,  2G043EA01 ,  2G043FA06 ,  2G043FA07 ,  2G043JA01 ,  2G043KA01 ,  2G043KA02 ,  2G043KA05 ,  2G043KA09 ,  2G043NA01 ,  2G043NA11 ,  2G059AA01 ,  2G059BB16 ,  2G059CC02 ,  2G059DD18 ,  2G059EE07 ,  2G059EE11 ,  2G059GG01 ,  2G059HH01 ,  2G059HH02 ,  2G059HH06 ,  2G059JJ01 ,  2G059MM01 ,  2G059MM12 ,  4M106AA01 ,  4M106AA10 ,  4M106BA02 ,  4M106BA05 ,  4M106CA18 ,  4M106CB02 ,  4M106DH45 ,  4M106DJ18

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭58-060550
  
• SiC結晶の質を向上させる方法およびSiC半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-237996   出願人：財団法人電力中央研究所
• シリコン基板の評価方法及び半導体デバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-141232   出願人：信越半導体株式会社
• キャリア濃度測定方法及びIII-V族化合物半導体ウェーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-367361   出願人：信越半導体株式会社