特許
J-GLOBAL ID：201503013883076239
パワーモジュール用基板
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 正和
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-214140
公開番号（公開出願番号）：特開2014-067971
特許番号：特許第5831419号
出願日： 2012年09月27日
公開日（公表日）： 2014年04月17日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 複数の回路層用金属板が第1セラミックス基板を介して積層状態に接合されるとともに、前記第1セラミックス基板に形成した貫通孔内に、該第1セラミックス基板の両面に配置される両回路層用金属板を接続状態とする金属部材が挿入され、前記積層状態の回路層用金属板の一方側の面に第2セラミックス基板が接合され、該第2セラミックス基板の前記回路層用金属板とは反対側の面に放熱層用金属板が接合されてなり、前記第1セラミックス基板と前記第2セラミックス基板との間の回路層用金属板は、その少なくとも一側部が両セラミックス基板の間から突出し、その突出部に外部接続用リード端子部が一体に形成されていることを特徴とするパワーモジュール用基板。
IPC (4件)：
H01L 23/12 ( 200 6.01)
, H01L 23/13 ( 200 6.01)
, H01L 25/07 ( 200 6.01)
, H01L 25/18 ( 200 6.01)
H01L 23/12 K
, H01L 23/12 J
, H01L 23/12 C
, H01L 25/04 C
