特許
J-GLOBAL ID：201503014407996059

半導体装置の製造方法

発明者：
志賀 智英

志賀 智英 について

, 
小山 雅紀

小山 雅紀 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (3件)： 矢作 和行 ,  野々部 泰平 ,  久保 貴則
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-011128
公開番号（公開出願番号）：特開2013-149909
特許番号：特許第5811861号
出願日： 2012年01月23日
公開日（公表日）： 2013年08月01日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板の一面側に、半導体素子の少なくとも一部を形成する表面形成工程と、 前記表面形成工程の後に、前記一面と反対の裏面側から粒子線あるいは放射線を照射して結晶欠陥層を形成する照射工程と、を備える半導体装置の製造方法であって、 前記照射工程の前に、前記裏面側の一部をエッチングして凹部を形成する裏面加工工程と、 前記照射工程の後に、前記裏面側から前記半導体基板のバックグラインドを行い、前記結晶欠陥層の少なくとも一部を残しつつ、前記裏面を研削して平坦化する平坦化工程と、 前記平坦化工程の後に、平坦化された前記裏面に不純物をドープして拡散層を形成する拡散層形成工程と、を備え、 前記表面形成工程にあっては、前記半導体素子として、絶縁ゲートバイポーラトランジスタとフリーホイールダイオードとを形成し、 前記裏面加工工程にあっては、前記フリーホイールダイオードの形成位置に対応する前記裏面側に、深さが前記粒子線あるいは放射線の前記半導体基板に対する飛程未満とされた前記凹部を形成し、 前記照射工程にあっては、粒子線あるいは放射線を遮蔽するマスクを用いることなく、前記裏面側から前記半導体基板の全面に粒子線あるいは放射線を照射し、 前記平坦化工程にあっては、前記絶縁ゲートバイポーラトランジスタに対応する位置に形成された前記結晶欠陥層と、前記フリーホイールダイオードに対応する位置に形成された前記結晶欠陥層と、を残して前記裏面を研削することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 29/739 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01)
FI (6件)：
H01L 29/78 658 G ,  H01L 29/78 658 H ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 655 D ,  H01L 29/78 655 F ,  H01L 29/78 657 D
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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