特許
J-GLOBAL ID：201503014581619124

紫外発光ダイオードおよびそれを備える電気機器

発明者：
平山 秀樹

平山 秀樹 について

, 
前田 哲利

前田 哲利 について

, 
定 昌史

定 昌史 について


出願人/特許権者：
国立研究開発法人理化学研究所

国立研究開発法人理化学研究所 について


代理人 (1件)： 岡本 正之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-017909
公開番号（公開出願番号）：特開2015-216352
出願日： 2015年01月30日
公開日（公表日）： 2015年12月03日
要約：
【課題】 深紫外発光ダイオードの光取出し効率を高める。【解決手段】 本発明のある実施形態の典型的なLED素子100Aは、単結晶のサファイアまたはAlN結晶の基板110と、n型導電層132、再結合層134、およびp型導電層136を基板層の側からこの順に積層されている紫外発光層130とを備えている。p型導電層136にはさらにp型コンタクト層150、および反射電極160が積層されている。紫外発光層とp型コンタクト層はいずれもAlNとGaNの混晶とされる。発光波長に対するp型コンタクト層の透過率が高まり、光取出し効率が向上する。また本発明では、反射電極がパターニングされ、p型コンタクト層が多層構造にされたLED素子も提供される。加えて、本発明ではこれら上記LED素子を備える電気機器も提供される。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
単結晶のサファイアまたはAlN結晶の基板と、 該基板に接して、または該基板上に設けられた追加のバッファー層に接して配置され、少なくともn型導電層、再結合層、およびp型導電層が該基板の側からこの順に積層して配置されているAlNとGaNの混晶の紫外発光層と、 前記p型導電層に電気的に接続しているAlNとGaNの混晶のp型コンタクト層と、 前記紫外発光層から発せられる紫外線である放射UVに対し反射性を示し前記p型コンタクト層に電気的に接続して配置されている反射電極と を備えている紫外発光ダイオード。
IPC (2件)：
H01L 33/10 ,  H01L 33/32
FI (2件)：
H01L33/00 130 ,  H01L33/00 186
Fターム (10件)：
5F141AA03 ,  5F141CA04 ,  5F141CA05 ,  5F141CA13 ,  5F141CA40 ,  5F141CA65 ,  5F141CA92 ,  5F141CB11 ,  5F141CB15 ,  5F141FF16
引用特許：
審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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