特許
J-GLOBAL ID：200903020588318300
窒化物半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
高橋 敬四郎
, 来山 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-068703
公開番号（公開出願番号）：特開2007-250611
出願日： 2006年03月14日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：
【課題】 光取り出し効率の向上した窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する【解決手段】 基板上に多孔性のボイド窒化物半導体層を少なくとも1層形成する。このボイド窒化物半導体層の上に少なくとも1層の発光素子形成用窒化物半導体層を形成する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
(a)基板上に多孔性のボイド窒化物半導体層を少なくとも1層形成する工程と、
(b)前記ボイド窒化物半導体層の上に少なくとも1層の発光素子形成用窒化物半導体層を形成する工程と
を含む窒化物半導体発光素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (16件)：
5F041AA03
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA73
, 5F041CA77
, 5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AC07
, 5F045AC12
, 5F045AF09
, 5F045BB12
, 5F045DA53
, 5F045DA55
, 5F045DA61
, 5F045HA16
出願人引用 (2件)
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光散乱を強化した発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-411688
出願人：ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー
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窒化物半導体及びその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-038213
出願人：日立電線株式会社
審査官引用 (1件)
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