特許
J-GLOBAL ID:201503014791996931

温度センサ及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 杉浦 秀幸
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-076409
公開番号(公開出願番号):特開2013-205318
特許番号:特許第5796719号
出願日: 2012年03月29日
公開日(公表日): 2013年10月07日
請求項(抜粋):
【請求項1】 絶縁性基材と、 該絶縁性基材上に互いに対向した一対の対向電極部を有して形成された一対のパターン電極と、 前記絶縁性基材上に一対の前記対向電極部を覆って形成された薄膜サーミスタ部とを備え、 該薄膜サーミスタ部が、TiAlNのサーミスタ材料で形成され、 前記パターン電極の少なくとも前記対向電極部が、前記絶縁性基材上に形成されたCr又はNiCrの第1接合層と、 該第1接合層上に貴金属で形成された電極層と、 該電極層上に直接又はTi層を介して形成されたTiNの第2接合層とを有していることを特徴とする温度センサ。
IPC (2件):
G01K 7/22 ( 200 6.01) ,  H01C 7/04 ( 200 6.01)
FI (2件):
G01K 7/22 A ,  H01C 7/04
引用特許:
出願人引用 (8件)
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