特許

J-GLOBAL ID：201503014826171612

基板表面処理装置及び方法、基板接合方法、並びに基板接合体

発明者： 須賀 唯知 ,  山内 朗
出願人/特許権者： 須賀 唯知 ,  ボンドテック株式会社
代理人 (2件)： 園田 吉隆 ,  小林 義教
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-210495
公開番号（公開出願番号）：特開2015-173247
出願日： 2014年10月15日
公開日（公表日）： 2015年10月01日
要約：

【課題】本願発明は、ライン状ガス照射源を用いて、効率的に、清浄かつ良好な電気的又は機械的特性を有する接合界面を形成する基板接合方法を提供することを課題とする。【解決手段】基板表面処理装置は、ライン上にガス放射口を有し、有機酸ガスを触媒を通すことにより生成した反応ガスをガス放射口から基板の表面に向かって放射して、基板の表面の酸化物を還元するライン状ガス照射源と、ライン状ガス照射源を、基板に対して相対的に移動させる移動手段とを備える。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

ガス放射口を有し、有機酸ガスを触媒を通すことにより生成した反応ガスを前記ガス放射口から基板の表面に向かって放射して、前記基板の表面の酸化物を還元するガス照射源と、 前記ガス照射源を、前記基板に対して相対的に移動させる移動手段と、 を備える、基板表面処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/60 ,  B23K 20/16 ,  B23K 20/00 ,  B23K 20/24

FI (6件)：

H01L21/02 B ,  H01L21/60 311Q ,  H01L21/60 311T ,  B23K20/16 ,  B23K20/00 310L ,  B23K20/24

Fターム (21件)：

4E167AA08 ,  4E167AA18 ,  4E167AA29 ,  4E167AB04 ,  4E167AB08 ,  4E167AB12 ,  4E167AD04 ,  4E167AD07 ,  4E167BA02 ,  4E167CA03 ,  4E167CA05 ,  4E167CB01 ,  4E167CB04 ,  4E167DA05 ,  5F044KK05 ,  5F044KK11 ,  5F044KK18 ,  5F044PP15 ,  5F044QQ01 ,  5F044QQ06 ,  5F044RR02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 電極の形成方法及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-251411   出願人：富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
• 特開平4-159797