特許
J-GLOBAL ID：200903068875277552
電極の形成方法及び半導体装置の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-251411
公開番号（公開出願番号）：特開2009-081398
出願日： 2007年09月27日
公開日（公表日）： 2009年04月16日
要約：
【課題】還元性雰囲気を用いたリフロー処理により半田バンプを製造する方法であって、当該リフロー処理において、溶融した半田中のボイドが潰れた反動で小さい球状の半田が外部に飛び散ることを防止し、更に、前記ボイドを内包したまま半田が固化されることを防止する方法及び前記半田バンプを備えた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半田バンプ207の形成方法は、電極パッド102上に、半田層107を配設する段階と、前記半田層107を、当該半田層107の融点以上の温度に於いて、酸化性雰囲気に晒す段階と、溶融状態にある半田材料を、その融点以上の温度であって且つ前記酸化性雰囲気に晒す際の温度よりも低い温度に於いて、還元性雰囲気に晒す段階と、を含む。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
導電体上に、電極材料を配設する段階と、
前記電極材料を、当該電極材料の融点以上の温度に於いて、酸化性雰囲気に晒す段階と、
溶融状態にある電極材料を、その融点以上の温度であって且つ前記酸化性雰囲気に晒す際の温度よりも低い温度に於いて、還元性雰囲気に晒す段階と、
を含むことを特徴とする電極の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/60
, B23K 1/00
, B23K 31/02
H01L21/92 604A
, B23K1/00 330E
, B23K31/02 310A
, B23K31/02 310B
, B23K31/02 310F
出願人引用 (2件)
審査官引用 (7件)
全件表示
前のページに戻る
