特許

J-GLOBAL ID：201503015247063286

集積回路

発明者： 安田 和秀
出願人/特許権者： 横河電機株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-269016
公開番号（公開出願番号）：特開2015-126068
出願日： 2013年12月26日
公開日（公表日）： 2015年07月06日
要約：

【課題】電圧依存性の小さい抵抗比が得られる抵抗素子を集積回路内に形成する。【解決手段】同一のウェル上に形成され、第1抵抗値の抵抗素子を2つ接続した抵抗ユニットと、第2抵抗値の抵抗素子を2つ接続し、抵抗ユニットと同じ電圧が印加されるウェル電位用抵抗ユニットとを備え、ウェルの電位を、ウェル用抵抗ユニットの2つの抵抗素子の接続点の電圧で与える集積回路。抵抗ユニットを、所望の抵抗比に応じた個数接続し、ウェル電位用抵抗ユニットを抵抗ユニットと同数接続してもよい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

同一のウェル上に形成され、第1抵抗値の抵抗素子を2つ接続した抵抗ユニットと、 第2抵抗値の抵抗素子を2つ接続し、前記抵抗ユニットと同じ電圧が印加されるウェル電位用抵抗ユニットとを備え、 前記ウェルの電位を、前記ウェル用抵抗ユニットの2つの抵抗素子の接続点の電圧で与えることを特徴とする集積回路。

IPC (2件)：

H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (1件)：

H01L27/04 P

Fターム (6件)：

5F038AR09 ,  5F038AR22 ,  5F038AR27 ,  5F038CA05 ,  5F038CA09 ,  5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 非反転バッファ回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-077088   出願人：旭化成エレクトロニクス株式会社
• 特開昭52-137988
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-194375   出願人：日本電気株式会社