特許
J-GLOBAL ID:201503015604735697
銅ナノ粒子分散体、及び導電性基板の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
岸本 達人
, 山下 昭彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2014-092473
公開番号(公開出願番号):特開2015-210973
出願日: 2014年04月28日
公開日(公表日): 2015年11月24日
要約:
【課題】低温又は短時間での焼成により、優れた導電性を有する導電性基板を得ることができる、導電性基板の製造方法を提供する。【解決手段】銅ナノ粒子と、カルボン酸と、アルキルアミンと、高分子分散剤と、溶剤とを含有し、前記高分子分散剤は、アミン価及び酸価の一方が30〜160mgKOH/g、アミン価及び酸価の他の一方が0〜160mgKOH/gであり、動的光散乱法による体積平均粒径が500nm以下である銅ナノ粒子分散体を、基材上に塗布して塗膜を形成する工程と、当該塗膜を焼成する工程とを有する、導電性基板の製造方法である。【選択図】図1
請求項(抜粋):
銅ナノ粒子と、カルボン酸と、アルキルアミンと、高分子分散剤と、溶剤とを含有し、前記高分子分散剤は、アミン価及び酸価の一方が30〜160mgKOH/g、アミン価及び酸価の他の一方が0〜160mgKOH/gであり、動的光散乱法による体積平均粒径が500nm以下である銅ナノ粒子分散体を、基材上に塗布して塗膜を形成する工程と、
当該塗膜を焼成する工程とを有する、導電性基板の製造方法。
IPC (6件):
H01B 13/00
, B22F 9/00
, H01B 1/22
, H01B 1/02
, H05K 3/00
, B22F 1/00
FI (6件):
H01B13/00 503Z
, B22F9/00 B
, H01B1/22 A
, H01B1/02 A
, H05K3/00 R
, B22F1/00 L
Fターム (20件):
4K017AA03
, 4K017AA08
, 4K017BA05
, 4K017CA08
, 4K017DA01
, 4K017DA07
, 4K018BA02
, 4K018BB05
, 4K018BD04
, 4K018KA33
, 5G301AA08
, 5G301AB13
, 5G301AB20
, 5G301AD10
, 5G301AE02
, 5G301DA06
, 5G301DA42
, 5G301DD01
, 5G301DE01
, 5G323AA03
引用特許:
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