特許
J-GLOBAL ID:201503015604735697

銅ナノ粒子分散体、及び導電性基板の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 岸本 達人 ,  山下 昭彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2014-092473
公開番号(公開出願番号):特開2015-210973
出願日: 2014年04月28日
公開日(公表日): 2015年11月24日
要約:
【課題】低温又は短時間での焼成により、優れた導電性を有する導電性基板を得ることができる、導電性基板の製造方法を提供する。【解決手段】銅ナノ粒子と、カルボン酸と、アルキルアミンと、高分子分散剤と、溶剤とを含有し、前記高分子分散剤は、アミン価及び酸価の一方が30〜160mgKOH/g、アミン価及び酸価の他の一方が0〜160mgKOH/gであり、動的光散乱法による体積平均粒径が500nm以下である銅ナノ粒子分散体を、基材上に塗布して塗膜を形成する工程と、当該塗膜を焼成する工程とを有する、導電性基板の製造方法である。【選択図】図1
請求項(抜粋):
銅ナノ粒子と、カルボン酸と、アルキルアミンと、高分子分散剤と、溶剤とを含有し、前記高分子分散剤は、アミン価及び酸価の一方が30〜160mgKOH/g、アミン価及び酸価の他の一方が0〜160mgKOH/gであり、動的光散乱法による体積平均粒径が500nm以下である銅ナノ粒子分散体を、基材上に塗布して塗膜を形成する工程と、 当該塗膜を焼成する工程とを有する、導電性基板の製造方法。
IPC (6件):
H01B 13/00 ,  B22F 9/00 ,  H01B 1/22 ,  H01B 1/02 ,  H05K 3/00 ,  B22F 1/00
FI (6件):
H01B13/00 503Z ,  B22F9/00 B ,  H01B1/22 A ,  H01B1/02 A ,  H05K3/00 R ,  B22F1/00 L
Fターム (20件):
4K017AA03 ,  4K017AA08 ,  4K017BA05 ,  4K017CA08 ,  4K017DA01 ,  4K017DA07 ,  4K018BA02 ,  4K018BB05 ,  4K018BD04 ,  4K018KA33 ,  5G301AA08 ,  5G301AB13 ,  5G301AB20 ,  5G301AD10 ,  5G301AE02 ,  5G301DA06 ,  5G301DA42 ,  5G301DD01 ,  5G301DE01 ,  5G323AA03
引用特許:
審査官引用 (3件)

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