特許
J-GLOBAL ID：201503015736374383
弾性波デバイスの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 楓国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-526836
特許番号：特許第5783252号
出願日： 2012年07月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 圧電体からなる圧電基板の接合面側に第1の金属層を形成する第1の金属層形成工程と、
支持基板の接合面側に第2の金属層を形成する第2の金属層形成工程と、
前記第1の金属層と前記第2の金属層とを重ね合わせ、前記第1の金属層の結晶と前記第2の金属層の結晶とを再配列させて金属接合層を形成する金属接合層形成工程と、
前記金属接合層を酸化させて金属酸化層を形成する金属酸化層形成工程と、
を有し、
前記第1及び第2の金属層は、厚さ1nm以下の結晶性金属層であり、
前記金属接合層形成工程は、不活性ガス雰囲気下または真空下で行われる、弾性波デバイスの製造方法。
IPC (2件)：
H03H 3/08 ( 200 6.01)
, H03H 9/25 ( 200 6.01)
