特許
J-GLOBAL ID：201503015879892694
複数の不揮発性の半導体記憶媒体を有し、ホットデータを長寿命記憶媒体に配置しコールドデータを短寿命記憶媒体に配置するストレージ装置、及び、記憶制御方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人第一国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-534292
公開番号（公開出願番号）：特表2015-505078
出願日： 2012年02月08日
公開日（公表日）： 2015年02月16日
要約：
ストレージ装置は、不揮発性の複数の半導体記憶ユニットと、前記複数の半導体記憶ユニットに接続されているコントローラであるストレージコントローラとを有する。ストレージコントローラは、取得した残寿命情報を基に、1以上の半導体記憶媒体である第1の半導体記憶ユニットと、第1の半導体記憶ユニットよりも残寿命の短い、1以上の半導体記憶媒体である第2の半導体記憶ユニットとを特定し、論理記憶領域毎のライトに関する統計情報を基に、第1の半導体記憶ユニットについて第1の論理記憶領域と、第2の半導体記憶ユニットについて第1の論理記憶領域よりもライト負荷の高い第2の論理記憶領域とを特定する。ストレージコントローラは、第1及び第2の論理記憶領域からそれぞれデータを読み出し、第1の論理記憶領域から読み出したデータを第2の論理記憶領域に書き込む、及び/又は、第2の論理記憶領域から読み出したデータを、第1の論理記憶領域に書き込む。【選択図】図23
請求項（抜粋）：
メモリコントローラを有する不揮発性の複数の半導体記憶ユニットと、
前記複数の半導体記憶ユニットに接続されているコントローラであるストレージコントローラと
を有し、
各半導体記憶ユニットは、1以上の不揮発性の半導体記憶媒体で構成されており、論理記憶領域の基になっており、
前記ストレージコントローラは、複数の論理記憶領域のうちのライト先の論理記憶領域の基になっている半導体記憶ユニットにデータを書き込むようになっており、
前記ストレージコントローラは、各半導体記憶媒体から内部情報を定期的又は不定期的に取得し、取得した内部情報を半導体記憶媒体毎に格納し、
前記ストレージコントローラは、論理記憶領域毎のライトに関する統計を表す統計情報を記憶し、且つ、半導体記憶媒体の残寿命に関する情報である残寿命情報を半導体記憶媒体毎に記憶し、
前記ストレージコントローラは、
(A)取得した残寿命情報を基に、第1の半導体記憶ユニットと、前記第1の半導体記憶ユニットよりも残寿命が短い第2の半導体記憶ユニットとを特定し、
(B)論理記憶領域毎のライトに関する統計を表す前記統計情報を基に、前記第1の半導体記憶ユニットについて第1の論理記憶領域と、前記第2の半導体記憶ユニットについて前記第1の論理記憶領域よりもライト負荷が高い第2の論理記憶領域とを特定し、
(C)前記第1及び第2の論理記憶領域からそれぞれデータを読み出し、且つ、前記第1の論理記憶領域から読み出したデータを、前記第2の論理記憶領域に書き込む、及び/又は、前記第2の論理記憶領域から読み出したデータを、前記第1の論理記憶領域に書き込む、
ストレージ装置。
IPC (2件)：
FI (4件)：
G06F3/06 301Z
, G06F3/08 H
, G06F3/06 306Z
, G06F3/06 304N
