特許
J-GLOBAL ID：201503015998863180
配線基板及びその製造方法
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青木 昇
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-208987
公開番号（公開出願番号）：特開2014-063932
特許番号：特許第5762376号
出願日： 2012年09月21日
公開日（公表日）： 2014年04月10日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 複数の絶縁層及び複数の導体層が積層された積層体を有し、前記積層体の最表層の前記導体層は、半導体チップをフリップチップ実装するために前記半導体チップの搭載領域に設けられた接続端子部を含み、前記積層体の最表層の前記絶縁層として、前記半導体チップの搭載領域及び当該半導体チップの搭載領域外の領域において前記積層体の内層側の前記絶縁層及び最表層の前記導体層を覆うソルダーレジスト層が設けられ、そのソルダーレジスト層に形成された開口部を介して前記接続端子部の表面が露出している配線基板において、
前記接続端子部は、前記半導体チップの接続端子がはんだを介して接続されるべき接続領域と、前記接続領域から平面方向に延設された配線領域とを有し、
前記接続端子部の前記接続領域と前記配線領域とが露出する前記開口部内において、前記ソルダーレジスト層は、前記開口部の内壁面と交差する表面を有するとともに前記接続端子部の側面を被覆する側面被覆部と、その側面被覆部上において前記側面被覆部と一体的に形成され、前記接続端子部における前記配線領域と交差するよう突設された凸状壁部とを有するとともに、前記凸状壁部は、前記ソルダーレジスト層に形成された前記開口部の内壁面と一体的に形成されている
ことを特徴とする配線基板。
IPC (2件)：
H01L 23/12 ( 200 6.01)
, H05K 3/46 ( 200 6.01)
H01L 23/12 N
, H01L 23/12 501 B
, H05K 3/46 B
, H05K 3/46 N
, H05K 3/46 Q
, H05K 3/46 Z
